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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRFP4229PBF
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IRFP4229PBF - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IRFP4229PBF
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IRFP4229PBF
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 250V 44A TO247AC
Emballage
TO-247-3
Fiche technique
IRFP4229PBF.pdf
État RoHS
Notre certification
En stock: 18404

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Quantité
OPTION EXPRESS
Mode de paiement
Notre certification

Spécifications

Spécifications techniques IRFP4229PBF
Infineon Technologies - IRFP4229PBF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IRFP4229PBF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-247AC  
Séries HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 46mOhm @ 26A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 310W (Tc)  
Package / Boîte TO-247-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -40°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 4560 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 110 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 250 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 44A (Tc)  
Numéro de produit de base IRFP4229  

Classifications environnementales et d'exportation

ATTRIBUT LA DESCRIPTION
État RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut de portée REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IRFP4229PBF

Attributs du produit IRFP4229PBF IRFP4232PBF IRFP4227PBF IRFP4137PBF
Modèle de produit IRFP4229PBF IRFP4232PBF IRFP4227PBF IRFP4137PBF
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Fonction FET - - - -
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 110 nC @ 10 V 240 nC @ 10 V 98 nC @ 10 V 125 nC @ 10 V
Tension drain-source (Vdss) 250 V 250 V 200 V 300 V
Package composant fournisseur TO-247AC TO-247AC TO-247AC TO-247AC
Séries HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Dissipation de puissance (max) 310W (Tc) 430W (Tc) 330W (Tc) 341W (Tc)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Température de fonctionnement -40°C ~ 175°C (TJ) -40°C ~ 175°C (TJ) -40°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 44A (Tc) 60A (Tc) 65A (Tc) 38A (Tc)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 4560 pF @ 25 V 7290 pF @ 25 V 4600 pF @ 25 V 5168 pF @ 50 V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA
Package / Boîte TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Vgs (Max) ±30V ±20V ±30V ±20V
Emballer Tube Bag Tube Tube
Rds On (Max) @ Id, Vgs 46mOhm @ 26A, 10V 35.7mOhm @ 42A, 10V 25mOhm @ 46A, 10V 69mOhm @ 24A, 10V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Numéro de produit de base IRFP4229 - IRFP4227 IRFP4137

Fiche technique IRFP4229PBF PDF

Téléchargez IRFP4229PBF PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IRFP4229PBF - Infineon Technologies.

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Amérique États-Unis 5
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L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
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Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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