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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRFP4228PBF
IRFP4228PBF Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRFP4228PBF - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IRFP4228PBF
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IRFP4228PBF
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 150V 78A TO247AC
Description détaillée
Emballage
TO-247-3
Fiche technique
IRFP4228PbF.pdf
En stock: 4870

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRFP4228PBF
Infineon Technologies - IRFP4228PBF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IRFP4228PBF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-247AC  
Séries HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 15.5mOhm @ 33A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 310W (Tc)  
Package / Boîte TO-247-3  
Emballer Bag  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -40°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 4530 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 107 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 150 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 78A (Tc)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IRFP4228PBF

Attributs du produit IRFP4228PBF IRFP4227PBF IRFP4229PBF IRFP4232PBF
Modèle de produit IRFP4228PBF IRFP4227PBF IRFP4229PBF IRFP4232PBF
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 78A (Tc) 65A (Tc) 44A (Tc) 60A (Tc)
Emballer Bag Tube Tube Bag
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Package composant fournisseur TO-247AC TO-247AC TO-247AC TO-247AC
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 15.5mOhm @ 33A, 10V 25mOhm @ 46A, 10V 46mOhm @ 26A, 10V 35.7mOhm @ 42A, 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 4530 pF @ 25 V 4600 pF @ 25 V 4560 pF @ 25 V 7290 pF @ 25 V
Tension drain-source (Vdss) 150 V 200 V 250 V 250 V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Fonction FET - - - -
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 107 nC @ 10 V 98 nC @ 10 V 110 nC @ 10 V 240 nC @ 10 V
Température de fonctionnement -40°C ~ 175°C (TJ) -40°C ~ 175°C (TJ) -40°C ~ 175°C (TJ) -40°C ~ 175°C (TJ)
Séries HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Package / Boîte TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±20V
Dissipation de puissance (max) 310W (Tc) 330W (Tc) 310W (Tc) 430W (Tc)

Fiche technique IRFP4228PBF PDF

Téléchargez IRFP4228PBF PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IRFP4228PBF - Infineon Technologies.

Autres documents connexes
IR Part Numbering System.pdf
PCN Obsolescence / EOL
Multiple Devices 19/Jun/2012.pdf
Feuilles de données
IRFP4228PbF.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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