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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRFL4315
IRFL4315 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRFL4315 - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IRFL4315
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IRFL4315
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 150V 2.6A SOT223
Description détaillée
Emballage
TO-261-4, TO-261AA
Fiche technique
IRFL4315.pdf
En stock: 4220

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRFL4315
Infineon Technologies - IRFL4315 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IRFL4315

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur SOT-223  
Séries HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 185mOhm @ 1.6A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 2.8W (Ta)  
Package / Boîte TO-261-4, TO-261AA  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 420 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 19 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 150 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 2.6A (Ta)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IRFL4315

Attributs du produit IRFL4315 IRFL4310PBF IRFL4310TRPBF IRFL4105TRPBF
Modèle de produit IRFL4315 IRFL4310PBF IRFL4310TRPBF IRFL4105TRPBF
Fabricant Infineon Technologies International Rectifier Infineon Technologies Infineon Technologies
Package composant fournisseur SOT-223 SOT-223 SOT-223 SOT-223
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 420 pF @ 25 V 330 pF @ 25 V 330 pF @ 25 V 660 pF @ 25 V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V - 10V 10V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Fonction FET - - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 185mOhm @ 1.6A, 10V 200mOhm @ 1.6A, 10V 200mOhm @ 1.6A, 10V 45mOhm @ 3.7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 19 nC @ 10 V 25 nC @ 10 V 25 nC @ 10 V 35 nC @ 10 V
Tension drain-source (Vdss) 150 V 100 V 100 V 55 V
Dissipation de puissance (max) 2.8W (Ta) 1W (Ta) 1W (Ta) 1W (Ta)
Emballer Tube Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Vgs (Max) ±30V ±20V ±20V ±20V
Séries HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 2.6A (Ta) 1.6A (Ta) 1.6A (Ta) 3.7A (Ta)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Boîte TO-261-4, TO-261AA TO-261-4, TO-261AA TO-261-4, TO-261AA TO-261-4, TO-261AA

Fiche technique IRFL4315 PDF

Téléchargez IRFL4315 PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IRFL4315 - Infineon Technologies.

Autres documents connexes
IR Part Numbering System.pdf
PCN Obsolescence / EOL
HiRel EOL 28/Jun/2015.pdf

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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