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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRFL4310TR
IRFL4310TR Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRFL4310TR - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IRFL4310TR
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IRFL4310TR
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT223
Description détaillée
Emballage
TO-261-4, TO-261AA
Fiche technique
IRFL4310.pdf
En stock: 3640

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRFL4310TR
Infineon Technologies - IRFL4310TR Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IRFL4310TR

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur SOT-223  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 200mOhm @ 1.6A, 10V  
Package / Boîte TO-261-4, TO-261AA  
Emballer Cut Tape (CT)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 330 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 25 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension drain-source (Vdss) 100 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 1.6A (Ta)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IRFL4310TR

Attributs du produit IRFL4310TR IRFL4310TRPBF IRFL4315PBF IRFL4315TRPBF
Modèle de produit IRFL4310TR IRFL4310TRPBF IRFL4315PBF IRFL4315TRPBF
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies International Rectifier Infineon Technologies
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Séries - HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Emballer Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 200mOhm @ 1.6A, 10V 200mOhm @ 1.6A, 10V 185mOhm @ 1.6A, 10V 185mOhm @ 1.6A, 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 25 nC @ 10 V 25 nC @ 10 V 19 nC @ 10 V 19 nC @ 10 V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 1.6A (Ta) 1.6A (Ta) 2.6A (Ta) 2.6A (Ta)
Package / Boîte TO-261-4, TO-261AA TO-261-4, TO-261AA TO-261-4, TO-261AA TO-261-4, TO-261AA
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 330 pF @ 25 V 330 pF @ 25 V 420 pF @ 25 V 420 pF @ 25 V
Tension drain-source (Vdss) 100 V 100 V 150 V 150 V
Package composant fournisseur SOT-223 SOT-223 SOT-223 SOT-223
Fonction FET - - - -

Fiche technique IRFL4310TR PDF

Téléchargez IRFL4310TR PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IRFL4310TR - Infineon Technologies.

Autres documents connexes
IR Part Numbering System.pdf
PCN Obsolescence / EOL
(PMD) Leaded Parts 25/May/2012.pdf
Feuilles de données
IRFL4310.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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