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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRFHM830DTRPBF
Infineon Technologies
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRFHM830DTRPBF - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IRFHM830DTRPBF
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IRFHM830DTRPBF
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 30V 20A/40A PQFN
Description détaillée
Emballage
8-VQFN Exposed Pad
Fiche technique
IRFHM830DTRPBF.pdf
En stock: 4750

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRFHM830DTRPBF
Infineon Technologies - IRFHM830DTRPBF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IRFHM830DTRPBF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 2.35V @ 50µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur PQFN (3x3)  
Séries HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.3mOhm @ 20A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 2.8W (Ta), 37W (Tc)  
Package / Boîte 8-VQFN Exposed Pad  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1797 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 27 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 30 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 20A (Ta), 40A (Tc)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IRFHM830DTRPBF

Attributs du produit IRFHM830DTRPBF IRFHM830TRPBF IRFHM8330TRPBF IRFHM8326TRPBF
Modèle de produit IRFHM830DTRPBF IRFHM830TRPBF IRFHM8330TRPBF IRFHM8326TRPBF
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies International Rectifier Infineon Technologies
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 20A (Ta), 40A (Tc) 21A (Ta), 40A (Tc) 16A (Ta), 55A (Tc) 19A (Ta)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Fonction FET - - - -
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR)
Package / Boîte 8-VQFN Exposed Pad 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN 8-PowerTDFN
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 27 nC @ 10 V 31 nC @ 10 V 20 nC @ 10 V 39 nC @ 10 V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Package composant fournisseur PQFN (3x3) 8-PQFN-Dual (3.3x3.3) 8-PQFN (3.3x3.3) -
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.3mOhm @ 20A, 10V 3.8mOhm @ 20A, 10V 6.6mOhm @ 20A, 10V 4.7mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.35V @ 50µA 2.35V @ 50µA 2.35V @ 25µA 2.2V @ 50µA
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 4.5V, 10V - 4.5V, 10V
Séries HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1797 pF @ 25 V 2155 pF @ 25 V 1450 pF @ 25 V 2496 pF @ 10 V
Tension drain-source (Vdss) 30 V 30 V 30 V 30 V
Dissipation de puissance (max) 2.8W (Ta), 37W (Tc) 2.7W (Ta), 37W (Tc) 2.7W (Ta), 33W (Tc) 2.8W (Ta), 37W (Tc)

Fiche technique IRFHM830DTRPBF PDF

Téléchargez IRFHM830DTRPBF PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IRFHM830DTRPBF - Infineon Technologies.

Emballage PCN
Package Drawing Update 19/Aug/2015.pdf
PCN Obsolescence / EOL
Multi Mosfet EOL 2/Mar/2016.pdf
Assemblage / origine PCN
Additional Assembly Site 10/Jul/2014.pdf
Conception / spécification PCN
Gate Wire Size Update 16/Dec/2014.pdf

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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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