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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - tableauxIRFHM792TRPBF
Infineon Technologies
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRFHM792TRPBF - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IRFHM792TRPBF
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IRFHM792TRPBF
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET 2N-CH 100V 2.3A 8PQFN
Description détaillée
Emballage
8-PowerVDFN
Fiche technique
IRFHM792TRPBF.pdf
État RoHS
En stock: 4490

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRFHM792TRPBF
Infineon Technologies - IRFHM792TRPBF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IRFHM792TRPBF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 10µA  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 8-PQFN (3.3x3.3), Power33  
Séries HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 195mOhm @ 2.9A, 10V  
Puissance - Max 2.3W  
Package / Boîte 8-PowerVDFN  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 251pF @ 25V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 6.3nC @ 10V  
Fonction FET -  
Tension drain-source (Vdss) 100V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 2.3A  
Configuration 2 N-Channel (Dual)  
Numéro de produit de base IRFHM792  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IRFHM792TRPBF

Attributs du produit IRFHM792TRPBF IRFHM8228 IRFHM8235TRPBF IRFHM4234TRPBF MOS
Modèle de produit IRFHM792TRPBF IRFHM8228 IRFHM8235TRPBF IRFHM4234TRPBF MOS
Fabricant Infineon Technologies IR Infineon Technologies IR
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 10µA - 2.35V @ 25µA -
Package composant fournisseur 8-PQFN (3.3x3.3), Power33 - 8-PQFN (3.3x3.3), Power33 -
Tension drain-source (Vdss) 100V - 25 V -
Numéro de produit de base IRFHM792 - - -
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) - -55°C ~ 150°C (TJ) -
Configuration 2 N-Channel (Dual) - - -
Package / Boîte 8-PowerVDFN - 8-PowerTDFN -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 2.3A - 16A (Ta) -
Fonction FET - - - -
Type de montage Surface Mount - Surface Mount -
La technologie MOSFET (Metal Oxide) - MOSFET (Metal Oxide) -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 195mOhm @ 2.9A, 10V - 7.7mOhm @ 20A, 10V -
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 6.3nC @ 10V - 12 nC @ 4.5 V -
Séries HEXFET® - HEXFET® -
Puissance - Max 2.3W - - -
Emballer Tape & Reel (TR) - Tape & Reel (TR) -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 251pF @ 25V - 1040 pF @ 10 V -

Fiche technique IRFHM792TRPBF PDF

Téléchargez IRFHM792TRPBF PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IRFHM792TRPBF - Infineon Technologies.

Emballage PCN
Package Drawing Update 19/Aug/2015.pdf
Conception / spécification PCN
Mult Dev Label Chgs Aug/2020.pdf
PCN Autre
Mult Dev Lot Code Standardization 11/Nov/2022.pdf
PCN Obsolescence / EOL
IRFHM792TRPBF EOL 28/Jun/2022.pdf
Assemblage / origine PCN
IRFHM792TR(1)PBF,62-0217PBF Site 19/Jul/2013.pdf

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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