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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRFH8334TRPBF
Infineon Technologies
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRFH8334TRPBF - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IRFH8334TRPBF
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IRFH8334TRPBF
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 30V 14A/44A PQFN
Description détaillée
Emballage
8-PowerTDFN
Fiche technique
IRFH8334TRPBF.pdf
État RoHS
En stock: 204110

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRFH8334TRPBF
Infineon Technologies - IRFH8334TRPBF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IRFH8334TRPBF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 2.35V @ 25µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur PQFN (5x6)  
Séries HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9mOhm @ 20A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 3.2W (Ta), 30W (Tc)  
Package / Boîte 8-PowerTDFN  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1180 pF @ 10 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 15 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 30 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 14A (Ta), 44A (Tc)  
Numéro de produit de base IRFH8334  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IRFH8334TRPBF

Attributs du produit IRFH8334TRPBF IRFH8334TR2PBF IRFH9310TRPBF IRFH8325TRPBF
Modèle de produit IRFH8334TRPBF IRFH8334TR2PBF IRFH9310TRPBF IRFH8325TRPBF
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Emballer Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Package composant fournisseur PQFN (5x6) PQFN (5x6) PQFN (5x6) PQFN (5x6)
Vgs (Max) ±20V - ±20V ±20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9mOhm @ 20A, 10V 9mOhm @ 20A, 10V 4.6mOhm @ 21A, 10V 5mOhm @ 20A, 10V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V - 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1180 pF @ 10 V 1180 pF @ 10 V 5250 pF @ 15 V 2487 pF @ 10 V
type de FET N-Channel N-Channel P-Channel N-Channel
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 14A (Ta), 44A (Tc) 14A (Ta), 44A (Tc) 21A (Ta), 40A (Tc) 21A (Ta), 82A (Tc)
Dissipation de puissance (max) 3.2W (Ta), 30W (Tc) - 3.1W (Ta) 3.6W (Ta), 54W (Tc)
Vgs (th) (Max) @ Id 2.35V @ 25µA 2.35V @ 25µA 2.4V @ 100µA 2.35V @ 50µA
Package / Boîte 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerVDFN 8-PowerTDFN
Fonction FET - - - -
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 15 nC @ 10 V 15 nC @ 10 V 58 nC @ 4.5 V 32 nC @ 10 V
Tension drain-source (Vdss) 30 V 30 V 30 V 30 V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Séries HEXFET® - HEXFET® HEXFET®
Numéro de produit de base IRFH8334 - IRFH9310 IRFH8325
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) - -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)

Fiche technique IRFH8334TRPBF PDF

Téléchargez IRFH8334TRPBF PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IRFH8334TRPBF - Infineon Technologies.

Assemblage / origine PCN
Warehouse Transfer 29/Jul/2015.pdf
Conception / spécification PCN
Mult Dev Label Chgs Aug/2020.pdf
Emballage PCN
Mult Dev Label Chgs 18/Feb/2020.pdf Barcode Label Update 24/Feb/2017.pdf
PCN Autre
Mult Dev Lot Code Standardization 11/Nov/2022.pdf

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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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