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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRFH8324TR2PBF
Infineon Technologies
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRFH8324TR2PBF - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IRFH8324TR2PBF
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IRFH8324TR2PBF
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 30V 23A/90A PQFN
Description détaillée
Emballage
8-PowerTDFN
Fiche technique
IRFH8324TR2PBF.pdf
En stock: 77110

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRFH8324TR2PBF
Infineon Technologies - IRFH8324TR2PBF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IRFH8324TR2PBF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 2.35V @ 50µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur PQFN (5x6)  
Séries HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.1mOhm @ 20A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 3.6W (Ta), 54W (Tc)  
Package / Boîte 8-PowerTDFN  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2380 pF @ 10 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 31 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 30 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 23A (Ta), 90A (Tc)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IRFH8324TR2PBF

Attributs du produit IRFH8324TR2PBF IRFH8321TRPBF IRFH8324TRPBF IRFH8318TRPBF
Modèle de produit IRFH8324TR2PBF IRFH8321TRPBF IRFH8324TRPBF IRFH8318TRPBF
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Fonction FET - - - -
Tension drain-source (Vdss) 30 V 30 V 30 V 30 V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Package composant fournisseur PQFN (5x6) PQFN (5x6) PQFN (5x6) PQFN (5x6)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.1mOhm @ 20A, 10V 4.9mOhm @ 20A, 10V 4.1mOhm @ 20A, 10V 3.1mOhm @ 20A, 10V
Package / Boîte 8-PowerTDFN 8-TQFN Exposed Pad 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Séries HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Vgs (th) (Max) @ Id 2.35V @ 50µA 2V @ 50µA 2.35V @ 50µA 2.35V @ 50µA
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 23A (Ta), 90A (Tc) 21A (Ta), 83A (Tc) 23A (Ta), 90A (Tc) 27A (Ta), 120A (Tc)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 31 nC @ 10 V 59 nC @ 10 V 31 nC @ 10 V 41 nC @ 10 V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2380 pF @ 10 V 2600 pF @ 10 V 2380 pF @ 10 V 3180 pF @ 10 V
Dissipation de puissance (max) 3.6W (Ta), 54W (Tc) 3.4W (Ta), 54W (Tc) 3.6W (Ta), 54W (Tc) 3.6W (Ta), 59W (Tc)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V

Fiche technique IRFH8324TR2PBF PDF

Téléchargez IRFH8324TR2PBF PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IRFH8324TR2PBF - Infineon Technologies.

Assemblage / origine PCN
Backend Wafer Transfer 23/Oct/2013.pdf
Informations environnementales
PQFN 5x6 RoHS Compliance.pdf
PCN Obsolescence / EOL
Multiple Devices 13/Nov/2013.pdf

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Amérique États-Unis 5
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Asie Inde 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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