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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRFH7934TRPBF
Infineon Technologies
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRFH7934TRPBF - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IRFH7934TRPBF
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IRFH7934TRPBF
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 30V 24A/76A 8PQFN
Description détaillée
Emballage
8-PowerTDFN
Fiche technique
IRFH7934TRPBF.pdf
État RoHS
En stock: 73760

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRFH7934TRPBF
Infineon Technologies - IRFH7934TRPBF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IRFH7934TRPBF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 2.35V @ 50µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 8-PQFN (5x6)  
Séries HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.5mOhm @ 24A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 3.1W (Ta)  
Package / Boîte 8-PowerTDFN  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3100 pF @ 15 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 30 nC @ 4.5 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 30 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 24A (Ta), 76A (Tc)  
Numéro de produit de base IRFH7934  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IRFH7934TRPBF

Attributs du produit IRFH7934TRPBF IRFH7932TRPBF IRFH7936TRPBF IRFH8303TRPBF
Modèle de produit IRFH7934TRPBF IRFH7932TRPBF IRFH7936TRPBF IRFH8303TRPBF
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies International Rectifier Infineon Technologies
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Package / Boîte 8-PowerTDFN 8-PowerVDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN
Fonction FET - - - -
Tension drain-source (Vdss) 30 V 30 V 30 V 30 V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.5mOhm @ 24A, 10V 3.3mOhm @ 25A, 10V 4.8mOhm @ 20A, 10V 1.1mOhm @ 50A, 10V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 24A (Ta), 76A (Tc) 24A (Ta), 104A (Tc) 20A (Ta), 54A (Tc) 43A (Ta), 100A (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 30 nC @ 4.5 V 51 nC @ 4.5 V 26 nC @ 4.5 V 179 nC @ 10 V
Dissipation de puissance (max) 3.1W (Ta) 3.4W (Ta) 3.1W (Ta) 3.7W (Ta), 156W (Tc)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3100 pF @ 15 V 4270 pF @ 15 V 2360 pF @ 15 V 7736 pF @ 24 V
Package composant fournisseur 8-PQFN (5x6) PQFN (5x6) Single Die 8-PQFN (5x6) 8-PQFN (5x6)
Séries HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®, StrongIRFET™
Vgs (th) (Max) @ Id 2.35V @ 50µA 2.35V @ 100µA 2.35V @ 50µA 2.2V @ 150µA
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Numéro de produit de base IRFH7934 IRFH7932 - IRFH8303

Fiche technique IRFH7934TRPBF PDF

Téléchargez IRFH7934TRPBF PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IRFH7934TRPBF - Infineon Technologies.

Emballage PCN
Package Drawing Update 19/Aug/2015.pdf Mult Dev Label Chgs 18/Feb/2020.pdf
Assemblage / origine PCN
Backend Wafer Transfer 23/Oct/2013.pdf
Informations environnementales
PQFN 5x6 RoHS Compliance.pdf

Mode de transport

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Amérique États-Unis 5
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Italie 5
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Asie Inde 4
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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