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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRFH7932TRPBF
Infineon Technologies
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRFH7932TRPBF - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IRFH7932TRPBF
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IRFH7932TRPBF
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 30V 24A/104A PQFN
Description détaillée
Emballage
8-PowerVDFN
Fiche technique
IRFH7932TRPBF.pdf
État RoHS
En stock: 96730

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRFH7932TRPBF
Infineon Technologies - IRFH7932TRPBF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IRFH7932TRPBF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 2.35V @ 100µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur PQFN (5x6) Single Die  
Séries HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.3mOhm @ 25A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 3.4W (Ta)  
Package / Boîte 8-PowerVDFN  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 4270 pF @ 15 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 51 nC @ 4.5 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 30 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 24A (Ta), 104A (Tc)  
Numéro de produit de base IRFH7932  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IRFH7932TRPBF

Attributs du produit IRFH7932TRPBF IRFH7923TRPBF IRFH7934TRPBF IRFH8202TRPBF
Modèle de produit IRFH7932TRPBF IRFH7923TRPBF IRFH7934TRPBF IRFH8202TRPBF
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 24A (Ta), 104A (Tc) 15A (Ta), 33A (Tc) 24A (Ta), 76A (Tc) 47A (Ta), 100A (Tc)
Numéro de produit de base IRFH7932 - IRFH7934 IRFH8202
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 51 nC @ 4.5 V 13 nC @ 4.5 V 30 nC @ 4.5 V 110 nC @ 10 V
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Package / Boîte 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V - 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Tension drain-source (Vdss) 30 V 30 V 30 V 25 V
Emballer Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Vgs (th) (Max) @ Id 2.35V @ 100µA 2.35V @ 25µA 2.35V @ 50µA 2.35V @ 150µA
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) - -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Séries HEXFET® - HEXFET® HEXFET®, StrongIRFET™
Package composant fournisseur PQFN (5x6) Single Die PQFN (5x6) Single Die 8-PQFN (5x6) 8-PQFN (5x6)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 4270 pF @ 15 V 1095 pF @ 15 V 3100 pF @ 15 V 7174 pF @ 13 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.3mOhm @ 25A, 10V 8.7mOhm @ 15A, 10V 3.5mOhm @ 24A, 10V 1.05mOhm @ 50A, 10V
Fonction FET - - - -
Vgs (Max) ±20V - ±20V ±20V
Dissipation de puissance (max) 3.4W (Ta) - 3.1W (Ta) 3.6W (Ta), 160W (Tc)
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel

Fiche technique IRFH7932TRPBF PDF

Téléchargez IRFH7932TRPBF PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IRFH7932TRPBF - Infineon Technologies.

Conception / spécification PCN
Mult Dev Label Chgs Aug/2020.pdf
Emballage PCN
Mult Dev Label Chgs 18/Feb/2020.pdf Barcode Label Update 24/Feb/2017.pdf
Assemblage / origine PCN
Mult Dev Site Add 28/Aug/2020.pdf

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Asie Inde 4
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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