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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - tableauxIRF9389TRPBF
IRF9389TRPBF Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRF9389TRPBF - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IRF9389TRPBF
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IRF9389TRPBF
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.6A 8-SO
Description détaillée
Emballage
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Fiche technique
IRF9389TRPBF.pdf
État RoHS
En stock: 131760

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRF9389TRPBF
Infineon Technologies - IRF9389TRPBF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IRF9389TRPBF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 2.3V @ 10µA  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 8-SO  
Séries HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 27mOhm @ 6.8A, 10V  
Puissance - Max 2W  
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 398pF @ 15V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 14nC @ 10V  
Fonction FET Logic Level Gate  
Tension drain-source (Vdss) 30V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 6.8A, 4.6A  
Configuration N and P-Channel  
Numéro de produit de base IRF9389  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IRF9389TRPBF

Attributs du produit IRF9389TRPBF IRF9395MTRPBF IRF9362TRPBF IRF9388
Modèle de produit IRF9389TRPBF IRF9395MTRPBF IRF9362TRPBF IRF9388
Fabricant Infineon Technologies International Rectifier Infineon Technologies IR
Séries HEXFET® DirectFET™ HEXFET® -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 27mOhm @ 6.8A, 10V 7mOhm @ 14A, 10V 21mOhm @ 8A, 10V -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 6.8A, 4.6A 14A (Ta), 75A (Tc) 8A -
Package composant fournisseur 8-SO DirectFET™ Isometric MC 8-SO -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 398pF @ 15V 3241pF @ 15V 1300pF @ 25V -
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) DirectFET™ Isometric MC 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) -
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount -
Fonction FET Logic Level Gate - Logic Level Gate -
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 14nC @ 10V 64nC @ 4.5V 39nC @ 10V -
Vgs (th) (Max) @ Id 2.3V @ 10µA 2.4V @ 50µA 2.4V @ 25µA -
Numéro de produit de base IRF9389 IRF9395 IRF9362 -
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) -
Configuration N and P-Channel 2 P-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual) -
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -
Tension drain-source (Vdss) 30V 30V 30V -
Puissance - Max 2W 2.1W (Ta), 57W (Tc) 2W -
Emballer Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR) -

Fiche technique IRF9389TRPBF PDF

Téléchargez IRF9389TRPBF PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IRF9389TRPBF - Infineon Technologies.

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Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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