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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRF9383MTRPBF
Infineon Technologies
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.
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IRF9383MTRPBF - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IRF9383MTRPBF
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IRF9383MTRPBF
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET P-CH 30V 22A DIRECTFET
Emballage
DirectFET™ Isometric MX
Fiche technique
IRF9383MTRPBF.pdf
État RoHS
Notre certification
En stock: 25493

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Quantité
OPTION EXPRESS
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Notre certification

Spécifications

Spécifications techniques IRF9383MTRPBF
Infineon Technologies - IRF9383MTRPBF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IRF9383MTRPBF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 2.4V @ 150µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur DIRECTFET™ MX  
Séries HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.9mOhm @ 22A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 2.1W (Ta), 113W (Tc)  
Package / Boîte DirectFET™ Isometric MX  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 7305 pF @ 15 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 130 nC @ 10 V  
type de FET P-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 30 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 22A (Ta), 160A (Tc)  
Numéro de produit de base IRF9383  

Classifications environnementales et d'exportation

ATTRIBUT LA DESCRIPTION
État RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut de portée REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IRF9383MTRPBF

Attributs du produit IRF9383MTRPBF IRF9392PBF IRF9388TRPBF IRF9362PBF
Modèle de produit IRF9383MTRPBF IRF9392PBF IRF9388TRPBF IRF9362PBF
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.9mOhm @ 22A, 10V 12.1mOhm @ 7.8A, 20V 8.5mOhm @ 12A, 20V 21mOhm @ 8A, 10V
Numéro de produit de base IRF9383 IRF9392 IRF9388 IRF9362
type de FET P-Channel P-Channel P-Channel -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 7305 pF @ 15 V 1270 pF @ 25 V 1680 pF @ 25 V 1300pF @ 25V
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur DIRECTFET™ MX 8-SO 8-SO 8-SO
Dissipation de puissance (max) 2.1W (Ta), 113W (Tc) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta) -
Vgs (Max) ±20V ±25V ±25V -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 10V, 20V 10V, 20V -
Vgs (th) (Max) @ Id 2.4V @ 150µA 2.4V @ 25µA 2.4V @ 25µA 2.4V @ 25µA
Package / Boîte DirectFET™ Isometric MX 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Séries HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 22A (Ta), 160A (Tc) 9.8A (Ta) 12A (Ta) 8A
Fonction FET - - - Logic Level Gate
Tension drain-source (Vdss) 30 V 30 V 30 V 30V
Emballer Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR) Tube
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 130 nC @ 10 V 14 nC @ 4.5 V 52 nC @ 10 V 39nC @ 10V

Fiche technique IRF9383MTRPBF PDF

Téléchargez IRF9383MTRPBF PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IRF9383MTRPBF - Infineon Technologies.

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Mode de transport

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Amérique États-Unis 5
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Asie Inde 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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