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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRF8010SPBF
IRF8010SPBF Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRF8010SPBF - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IRF8010SPBF
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IRF8010SPBF
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
Description détaillée
Emballage
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Fiche technique
IRF8010SPBF.pdf
État RoHS
En stock: 4850

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRF8010SPBF
Infineon Technologies - IRF8010SPBF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IRF8010SPBF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur D2PAK  
Séries HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 15mOhm @ 45A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 260W (Tc)  
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3830 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 120 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 100 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 80A (Tc)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IRF8010SPBF

Attributs du produit IRF8010SPBF IRF8113 IRF7946TRPBF IRF8010PBF
Modèle de produit IRF8010SPBF IRF8113 IRF7946TRPBF IRF8010PBF
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur D2PAK 8-SO DIRECTFET™ MX TO-220AB
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 4.5V, 10V 6V, 10V 10V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 80A (Tc) 17.2A (Ta) 90A (Tc) 80A (Tc)
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 2.2V @ 250µA 3.9V @ 150µA 4V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Tension drain-source (Vdss) 100 V 30 V 40 V 100 V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 120 nC @ 10 V 36 nC @ 4.5 V 212 nC @ 10 V 120 nC @ 10 V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Séries HEXFET® HEXFET® HEXFET®, StrongIRFET™ HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 15mOhm @ 45A, 10V 5.6mOhm @ 17.2A, 10V 1.4mOhm @ 90A, 10V 15mOhm @ 45A, 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3830 pF @ 25 V 2910 pF @ 15 V 6852 pF @ 25 V 3830 pF @ 25 V
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) DirectFET™ Isometric MX TO-220-3
Fonction FET - - - -
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Through Hole
Emballer Tube Tube Tape & Reel (TR) Tube
Dissipation de puissance (max) 260W (Tc) 2.5W (Ta) 96W (Tc) 260W (Tc)

Fiche technique IRF8010SPBF PDF

Téléchargez IRF8010SPBF PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IRF8010SPBF - Infineon Technologies.

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Asie Inde 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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