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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRF8010PBF
IRF8010PBF Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRF8010PBF - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IRF8010PBF
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IRF8010PBF
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 100V 80A TO220AB
Description détaillée
Emballage
TO-220-3
Fiche technique
IRF8010PBF.pdf
État RoHS
En stock: 27920

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRF8010PBF
Infineon Technologies - IRF8010PBF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IRF8010PBF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220AB  
Séries HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 15mOhm @ 45A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 260W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3830 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 120 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 100 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 80A (Tc)  
Numéro de produit de base IRF8010  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IRF8010PBF

Attributs du produit IRF8010PBF IRF8010STRLPBF IRF8010SPBF IRF7946TRPBF
Modèle de produit IRF8010PBF IRF8010STRLPBF IRF8010SPBF IRF7946TRPBF
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Séries HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®, StrongIRFET™
Type de montage Through Hole Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Numéro de produit de base IRF8010 IRF8010 - IRF7946
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Fonction FET - - - -
Dissipation de puissance (max) 260W (Tc) 260W (Tc) 260W (Tc) 96W (Tc)
Package / Boîte TO-220-3 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB DirectFET™ Isometric MX
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 80A (Tc) 80A (Tc) 80A (Tc) 90A (Tc)
Package composant fournisseur TO-220AB D2PAK D2PAK DIRECTFET™ MX
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 120 nC @ 10 V 120 nC @ 10 V 120 nC @ 10 V 212 nC @ 10 V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 15mOhm @ 45A, 10V 15mOhm @ 45A, 10V 15mOhm @ 45A, 10V 1.4mOhm @ 90A, 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 3.9V @ 150µA
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3830 pF @ 25 V 3830 pF @ 25 V 3830 pF @ 25 V 6852 pF @ 25 V
Tension drain-source (Vdss) 100 V 100 V 100 V 40 V
Emballer Tube Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 6V, 10V

Fiche technique IRF8010PBF PDF

Téléchargez IRF8010PBF PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IRF8010PBF - Infineon Technologies.

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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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