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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - tableauxIRF7507TRPBF
IRF7507TRPBF Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRF7507TRPBF - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IRF7507TRPBF
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IRF7507TRPBF
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N/P-CH 20V 1.7A MICRO8
Description détaillée
Emballage
8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Fiche technique
IRF7507.pdf
État RoHS
En stock: 124500

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRF7507TRPBF
Infineon Technologies - IRF7507TRPBF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IRF7507TRPBF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 700mV @ 250µA  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur Micro8™  
Séries HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 140mOhm @ 1.7A, 4.5V  
Puissance - Max 1.25W  
Package / Boîte 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 260pF @ 15V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 8nC @ 4.5V  
Fonction FET Logic Level Gate  
Tension drain-source (Vdss) 20V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 2.4A, 1.7A  
Configuration N and P-Channel  
Numéro de produit de base IRF7507  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IRF7507TRPBF

Attributs du produit IRF7507TRPBF IRF7506TR IRF7504TRPBF IRF7509TRPBF
Modèle de produit IRF7507TRPBF IRF7506TR IRF7504TRPBF IRF7509TRPBF
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Tension drain-source (Vdss) 20V 30V 20V 30V
Configuration N and P-Channel 2 P-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual) N and P-Channel
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 8nC @ 4.5V 11nC @ 10V 8.2nC @ 4.5V 12nC @ 10V
Package composant fournisseur Micro8™ Micro8™ Micro8™ Micro8™
Numéro de produit de base IRF7507 IRF7506 IRF7504 IRF7509
Vgs (th) (Max) @ Id 700mV @ 250µA 1V @ 250µA 700mV @ 250µA 1V @ 250µA
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 2.4A, 1.7A 1.7A 1.7A 2.7A, 2A
Emballer Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Fonction FET Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
Séries HEXFET® - HEXFET® HEXFET®
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) - -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Boîte 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 140mOhm @ 1.7A, 4.5V 270mOhm @ 1.2A, 10V 270mOhm @ 1.2A, 4.5V 110mOhm @ 1.7A, 10V
Puissance - Max 1.25W 1.25W 1.25W 1.25W
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 260pF @ 15V 180pF @ 25V 240pF @ 15V 210pF @ 25V

Fiche technique IRF7507TRPBF PDF

Téléchargez IRF7507TRPBF PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IRF7507TRPBF - Infineon Technologies.

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Feuilles de données
IRF7507.pdf

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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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