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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - tableauxIRF7506TRPBF
IRF7506TRPBF Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRF7506TRPBF - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IRF7506TRPBF
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IRF7506TRPBF
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET 2P-CH 30V 1.7A MICRO8
Description détaillée
Emballage
8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Fiche technique
IRF7506TRPBF.pdf
État RoHS
En stock: 4170

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRF7506TRPBF
Infineon Technologies - IRF7506TRPBF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IRF7506TRPBF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur Micro8™  
Séries HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 270mOhm @ 1.2A, 10V  
Puissance - Max 1.25W  
Package / Boîte 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 180pF @ 25V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 11nC @ 10V  
Fonction FET Logic Level Gate  
Tension drain-source (Vdss) 30V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 1.7A  
Configuration 2 P-Channel (Dual)  
Numéro de produit de base IRF7506  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IRF7506TRPBF

Attributs du produit IRF7506TRPBF IRF7503TRPBF IRF7509TR IRF7506TR
Modèle de produit IRF7506TRPBF IRF7503TRPBF IRF7509TR IRF7506TR
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Séries HEXFET® HEXFET® HEXFET® -
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -
Numéro de produit de base IRF7506 IRF7503 IRF7509 IRF7506
Package / Boîte 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Configuration 2 P-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) N and P-Channel 2 P-Channel (Dual)
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 180pF @ 25V 210pF @ 25V 210pF @ 25V 180pF @ 25V
Fonction FET Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA 1V @ 250µA 1V @ 250µA 1V @ 250µA
Puissance - Max 1.25W 1.25W 1.25W 1.25W
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 11nC @ 10V 12nC @ 10V 12nC @ 10V 11nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 270mOhm @ 1.2A, 10V 135mOhm @ 1.7A, 10V 110mOhm @ 1.4A, 10V 270mOhm @ 1.2A, 10V
Tension drain-source (Vdss) 30V 30V 30V 30V
Package composant fournisseur Micro8™ Micro8™ Micro8™ Micro8™
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 1.7A 2.4A 2.7A, 2A 1.7A

Fiche technique IRF7506TRPBF PDF

Téléchargez IRF7506TRPBF PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IRF7506TRPBF - Infineon Technologies.

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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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