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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - tableauxIRF7338TRPBF
IRF7338TRPBF Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRF7338TRPBF - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IRF7338TRPBF
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IRF7338TRPBF
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N/P-CH 12V 6.3A 8-SOIC
Description détaillée
Emballage
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Fiche technique
IRF7338TRPBF.pdf
En stock: 4370

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRF7338TRPBF
Infineon Technologies - IRF7338TRPBF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IRF7338TRPBF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 8-SO  
Séries HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 34mOhm @ 6A, 4.5V  
Puissance - Max 2W  
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 640pF @ 9V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 8.6nC @ 4.5V  
Fonction FET Logic Level Gate  
Tension drain-source (Vdss) 12V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 6.3A, 3A  
Configuration N and P-Channel  
Numéro de produit de base IRF733  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IRF7338TRPBF

Attributs du produit IRF7338TRPBF IRF7341GTRPBF IRF7335D1TR IRF7338PBF
Modèle de produit IRF7338TRPBF IRF7341GTRPBF IRF7335D1TR IRF7338PBF
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA 1V @ 250µA (Min) 1V @ 250µA 1.5V @ 250µA
Puissance - Max 2W 2.4W 2W 2W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 34mOhm @ 6A, 4.5V 50mOhm @ 5.1A, 10V 17.5mOhm @ 10A, 4.5V 34mOhm @ 6A, 4.5V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 640pF @ 9V 780pF @ 25V 1500pF @ 15V 640pF @ 9V
Numéro de produit de base IRF733 IRF734 IRF733 IRF733
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 8.6nC @ 4.5V 44nC @ 10V 20nC @ 4.5V 8.6nC @ 4.5V
Tension drain-source (Vdss) 12V 55V 30V 12V
Configuration N and P-Channel 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical N and P-Channel
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube
Fonction FET Logic Level Gate - Logic Level Gate Logic Level Gate
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Séries HEXFET® HEXFET® FETKY™ HEXFET®
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Package composant fournisseur 8-SO 8-SO 14-SOIC 8-SO
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 6.3A, 3A 5.1A 10A 6.3A, 3A
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount

Fiche technique IRF7338TRPBF PDF

Téléchargez IRF7338TRPBF PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IRF7338TRPBF - Infineon Technologies.

Autres documents connexes
IR Part Numbering System.pdf
PCN Obsolescence / EOL
Gen 8 Rev2 08/Jul/2011.pdf

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
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Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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