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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - tableauxIRF7338PBF
IRF7338PBF Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRF7338PBF - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IRF7338PBF
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IRF7338PBF
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N/P-CH 12V 6.3A/3A 8-SOIC
Description détaillée
Emballage
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Fiche technique
IRF7338PBF.pdf
En stock: 4140

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRF7338PBF
Infineon Technologies - IRF7338PBF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IRF7338PBF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 8-SO  
Séries HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 34mOhm @ 6A, 4.5V  
Puissance - Max 2W  
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 640pF @ 9V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 8.6nC @ 4.5V  
Fonction FET Logic Level Gate  
Tension drain-source (Vdss) 12V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 6.3A, 3A  
Configuration N and P-Channel  
Numéro de produit de base IRF733  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IRF7338PBF

Attributs du produit IRF7338PBF IRF7338TRPBF IRF7335D1TR IRF7341GTRPBF
Modèle de produit IRF7338PBF IRF7338TRPBF IRF7335D1TR IRF7341GTRPBF
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Séries HEXFET® HEXFET® FETKY™ HEXFET®
Fonction FET Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate -
Puissance - Max 2W 2W 2W 2.4W
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 640pF @ 9V 640pF @ 9V 1500pF @ 15V 780pF @ 25V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA 1V @ 250µA 1V @ 250µA (Min)
Numéro de produit de base IRF733 IRF733 IRF733 IRF734
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 6.3A, 3A 6.3A, 3A 10A 5.1A
Package composant fournisseur 8-SO 8-SO 14-SOIC 8-SO
Emballer Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 8.6nC @ 4.5V 8.6nC @ 4.5V 20nC @ 4.5V 44nC @ 10V
Tension drain-source (Vdss) 12V 12V 30V 55V
Configuration N and P-Channel N and P-Channel 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 2 N-Channel (Dual)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 34mOhm @ 6A, 4.5V 34mOhm @ 6A, 4.5V 17.5mOhm @ 10A, 4.5V 50mOhm @ 5.1A, 10V

Fiche technique IRF7338PBF PDF

Téléchargez IRF7338PBF PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IRF7338PBF - Infineon Technologies.

Autres documents connexes
IR Part Numbering System.pdf
PCN Obsolescence / EOL
Gen 8 Rev2 08/Jul/2011.pdf

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Amérique États-Unis 5
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Asie Inde 4
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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