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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - tableauxIRF7331TRPBF-1
IRF7331TRPBF-1 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRF7331TRPBF-1 - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IRF7331TRPBF-1
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IRF7331TRPBF-1
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET 2N-CH 20V 7A 8-SOIC
Description détaillée
Emballage
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Fiche technique
IRF7331TRPbF-1.pdf
État RoHS
En stock: 4760

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRF7331TRPBF-1
Infineon Technologies - IRF7331TRPBF-1 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IRF7331TRPBF-1

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 8-SOIC  
Séries HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 30mOhm @ 7A, 4.5V  
Puissance - Max 2W (Ta)  
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1340pF @ 16V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 4.5V  
Fonction FET -  
Tension drain-source (Vdss) 20V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 7A (Ta)  
Configuration 2 N-Channel (Dual)  
Numéro de produit de base IRF733  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IRF7331TRPBF-1

Attributs du produit IRF7331TRPBF-1 IRF7331PBF IRF7335D1TR IRF7329TRPBF
Modèle de produit IRF7331TRPBF-1 IRF7331PBF IRF7335D1TR IRF7329TRPBF
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur 8-SOIC 8-SO 14-SOIC 8-SO
Puissance - Max 2W (Ta) 2W 2W 2W
Tension drain-source (Vdss) 20V 20V 30V 12V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 30mOhm @ 7A, 4.5V 30mOhm @ 7A, 4.5V 17.5mOhm @ 10A, 4.5V 17mOhm @ 9.2A, 4.5V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs (th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA 1.2V @ 250µA 1V @ 250µA 900mV @ 250µA
Numéro de produit de base IRF733 IRF733 IRF733 IRF732
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 4.5V 20nC @ 4.5V 20nC @ 4.5V 57nC @ 4.5V
Configuration 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 2 P-Channel (Dual)
Séries HEXFET® HEXFET® FETKY™ HEXFET®
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1340pF @ 16V 1340pF @ 16V 1500pF @ 15V 3450pF @ 10V
Fonction FET - Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 7A (Ta) 7A 10A 9.2A
Emballer Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Fiche technique IRF7331TRPBF-1 PDF

Téléchargez IRF7331TRPBF-1 PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IRF7331TRPBF-1 - Infineon Technologies.

PCN Obsolescence / EOL
Mult Devices EOL 08/May/2019.pdf
Feuilles de données
IRF7331TRPbF-1.pdf

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Région Pays Heure logistique (jour)
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L'Europe  Allemagne 5
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Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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32D-IRF7331TRPBF-1

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