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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - tableauxIRF7331
IRF7331 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRF7331 - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IRF7331
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IRF7331
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET 2N-CH 20V 7A 8-SOIC
Description détaillée
Emballage
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Fiche technique
IRF7331.pdf
En stock: 4180

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRF7331
Infineon Technologies - IRF7331 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IRF7331

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 8-SO  
Séries HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 30mOhm @ 7A, 4.5V  
Puissance - Max 2W  
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1340pF @ 16V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 4.5V  
Fonction FET Logic Level Gate  
Tension drain-source (Vdss) 20V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 7A  
Configuration 2 N-Channel (Dual)  
Numéro de produit de base IRF733  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IRF7331

Attributs du produit IRF7331 IRF7329PBF IRF7331TRPBF IRF7328TRPBF
Modèle de produit IRF7331 IRF7329PBF IRF7331TRPBF IRF7328TRPBF
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Philips Infineon Technologies
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs (th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA 900mV @ 250µA 1.2V @ 250µA 2.5V @ 250µA
Séries HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 4.5V 57nC @ 4.5V 20nC @ 4.5V 78nC @ 10V
Emballer Tube Tube Bulk Tape & Reel (TR)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1340pF @ 16V 3450pF @ 10V 1340pF @ 16V 2675pF @ 25V
Package composant fournisseur 8-SO 8-SO 8-SO 8-SO
Rds On (Max) @ Id, Vgs 30mOhm @ 7A, 4.5V 17mOhm @ 9.2A, 4.5V 30mOhm @ 7A, 4.5V 21mOhm @ 8A, 10V
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Tension drain-source (Vdss) 20V 12V 20V 30V
Fonction FET Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
Puissance - Max 2W 2W 2W 2W
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 7A 9.2A 7A 8A
Numéro de produit de base IRF733 IRF732 IRF733 IRF732
Configuration 2 N-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual)

Fiche technique IRF7331 PDF

Téléchargez IRF7331 PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IRF7331 - Infineon Technologies.

Autres documents connexes
IR Part Numbering System.pdf
PCN Obsolescence / EOL
EOL122B 02/Oct/2007.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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