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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - tableauxIRF7325TRPBF
IRF7325TRPBF Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRF7325TRPBF - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IRF7325TRPBF
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IRF7325TRPBF
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET 2P-CH 12V 7.8A 8-SOIC
Description détaillée
Emballage
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Fiche technique
IRF7325PbF.pdf
En stock: 4600

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRF7325TRPBF
Infineon Technologies - IRF7325TRPBF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IRF7325TRPBF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 900mV @ 250µA  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 8-SO  
Séries HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 24mOhm @ 7.8A, 4.5V  
Puissance - Max 2W  
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2020pF @ 10V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 33nC @ 4.5V  
Fonction FET Logic Level Gate  
Tension drain-source (Vdss) 12V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 7.8A  
Configuration 2 P-Channel (Dual)  
Numéro de produit de base IRF732  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IRF7325TRPBF

Attributs du produit IRF7325TRPBF IRF7325 IRF7324TRPBF IRF7324PBF
Modèle de produit IRF7325TRPBF IRF7325 IRF7324TRPBF IRF7324PBF
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Emballer Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR) Tube
Puissance - Max 2W 2W 2W 2W
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2020pF @ 10V 2020pF @ 10V 2940pF @ 15V 2940pF @ 15V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 7.8A 7.8A 9A 9A
Tension drain-source (Vdss) 12V 12V 20V 20V
Fonction FET Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 33nC @ 4.5V 33nC @ 4.5V 63nC @ 5V 63nC @ 5V
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 24mOhm @ 7.8A, 4.5V 24mOhm @ 7.8A, 4.5V 18mOhm @ 9A, 4.5V 18mOhm @ 9A, 4.5V
Package composant fournisseur 8-SO 8-SO 8-SO 8-SO
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration 2 P-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual)
Vgs (th) (Max) @ Id 900mV @ 250µA 900mV @ 250µA 1V @ 250µA 1V @ 250µA
Séries HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Numéro de produit de base IRF732 IRF732 IRF732 IRF732

Fiche technique IRF7325TRPBF PDF

Téléchargez IRF7325TRPBF PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IRF7325TRPBF - Infineon Technologies.

Autres documents connexes
IR Part Numbering System.pdf
PCN Obsolescence / EOL
Gen 8 Rev2 08/Jul/2011.pdf
Feuilles de données
IRF7325PbF.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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