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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - tableauxIRF7324TRPBF
IRF7324TRPBF Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRF7324TRPBF - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IRF7324TRPBF
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IRF7324TRPBF
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET 2P-CH 20V 9A 8-SOIC
Description détaillée
Emballage
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Fiche technique
IRF7324TRPBF.pdf
État RoHS
En stock: 46310

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRF7324TRPBF
Infineon Technologies - IRF7324TRPBF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IRF7324TRPBF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 8-SO  
Séries HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 18mOhm @ 9A, 4.5V  
Puissance - Max 2W  
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2940pF @ 15V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 63nC @ 5V  
Fonction FET Logic Level Gate  
Tension drain-source (Vdss) 20V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 9A  
Configuration 2 P-Channel (Dual)  
Numéro de produit de base IRF732  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IRF7324TRPBF

Attributs du produit IRF7324TRPBF IRF7325TRPBF IRF7324PBF IRF7325
Modèle de produit IRF7324TRPBF IRF7325TRPBF IRF7324PBF IRF7325
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube Tube
Fonction FET Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs 18mOhm @ 9A, 4.5V 24mOhm @ 7.8A, 4.5V 18mOhm @ 9A, 4.5V 24mOhm @ 7.8A, 4.5V
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Séries HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 63nC @ 5V 33nC @ 4.5V 63nC @ 5V 33nC @ 4.5V
Tension drain-source (Vdss) 20V 12V 20V 12V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 9A 7.8A 9A 7.8A
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Numéro de produit de base IRF732 IRF732 IRF732 IRF732
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2940pF @ 15V 2020pF @ 10V 2940pF @ 15V 2020pF @ 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Puissance - Max 2W 2W 2W 2W
Package composant fournisseur 8-SO 8-SO 8-SO 8-SO
Configuration 2 P-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual)
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA 900mV @ 250µA 1V @ 250µA 900mV @ 250µA

Fiche technique IRF7324TRPBF PDF

Téléchargez IRF7324TRPBF PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IRF7324TRPBF - Infineon Technologies.

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Amérique États-Unis 5
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Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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