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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRF530NPBF
IRF530NPBF Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRF530NPBF - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IRF530NPBF
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IRF530NPBF
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 100V 17A TO220AB
Description détaillée
Emballage
TO-220-3
Fiche technique
IRF530NPBF.pdf
État RoHS
En stock: 92760

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRF530NPBF
Infineon Technologies - IRF530NPBF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IRF530NPBF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220AB  
Séries HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 90mOhm @ 9A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 70W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 920 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 37 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 100 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 17A (Tc)  
Numéro de produit de base IRF530  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IRF530NPBF

Attributs du produit IRF530NPBF IRF5305SPBF IRF530A IRF530PBF
Modèle de produit IRF530NPBF IRF5305SPBF IRF530A IRF530PBF
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies onsemi Vishay Siliconix
Rds On (Max) @ Id, Vgs 90mOhm @ 9A, 10V 60mOhm @ 16A, 10V 110mOhm @ 7A, 10V 160mOhm @ 8.4A, 10V
Dissipation de puissance (max) 70W (Tc) 3.8W (Ta), 110W (Tc) 55W (Tc) 88W (Tc)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 17A (Tc) 31A (Tc) 14A (Tc) 14A (Tc)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Type de montage Through Hole Surface Mount Through Hole Through Hole
Séries HEXFET® HEXFET® - -
Tension drain-source (Vdss) 100 V 55 V 100 V 100 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 920 pF @ 25 V 1200 pF @ 25 V 790 pF @ 25 V 670 pF @ 25 V
type de FET N-Channel P-Channel N-Channel N-Channel
Package / Boîte TO-220-3 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-3 TO-220-3
Numéro de produit de base IRF530 IRF5305 IRF530 IRF530
Emballer Tube Tube Tube Tube
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur TO-220AB D2PAK TO-220-3 TO-220AB
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Fonction FET - - - -
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 37 nC @ 10 V 63 nC @ 10 V 36 nC @ 10 V 26 nC @ 10 V

Fiche technique IRF530NPBF PDF

Téléchargez IRF530NPBF PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IRF530NPBF - Infineon Technologies.

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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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