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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRF5305SPBF
IRF5305SPBF Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRF5305SPBF - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IRF5305SPBF
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IRF5305SPBF
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET P-CH 55V 31A D2PAK
Description détaillée
Emballage
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Fiche technique
IRF5305SPBF.pdf
État RoHS
En stock: 4700

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRF5305SPBF
Infineon Technologies - IRF5305SPBF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IRF5305SPBF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur D2PAK  
Séries HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 60mOhm @ 16A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 3.8W (Ta), 110W (Tc)  
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1200 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 63 nC @ 10 V  
type de FET P-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 55 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 31A (Tc)  
Numéro de produit de base IRF5305  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IRF5305SPBF

Attributs du produit IRF5305SPBF IRF5305STRRPBF IRF530L IRF5305PBF
Modèle de produit IRF5305SPBF IRF5305STRRPBF IRF530L IRF5305PBF
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Vishay Siliconix Infineon Technologies
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 63 nC @ 10 V 63 nC @ 10 V 26 nC @ 10 V 63 nC @ 10 V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 31A (Tc) 31A (Tc) 14A (Tc) 31A (Tc)
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-220-3
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1200 pF @ 25 V 1200 pF @ 25 V 670 pF @ 25 V 1200 pF @ 25 V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Tension drain-source (Vdss) 55 V 55 V 100 V 55 V
Type de montage Surface Mount Surface Mount Through Hole Through Hole
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
type de FET P-Channel P-Channel N-Channel P-Channel
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Fonction FET - - - -
Package composant fournisseur D2PAK D2PAK TO-262 TO-220AB
Emballer Tube Tape & Reel (TR) Tube Tube
Séries HEXFET® HEXFET® - HEXFET®
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 60mOhm @ 16A, 10V 60mOhm @ 16A, 10V 160mOhm @ 8.4A, 10V 60mOhm @ 16A, 10V
Numéro de produit de base IRF5305 IRF5305 IRF530 IRF5305
Dissipation de puissance (max) 3.8W (Ta), 110W (Tc) 3.8W (Ta), 110W (Tc) - 110W (Tc)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

Fiche technique IRF5305SPBF PDF

Téléchargez IRF5305SPBF PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IRF5305SPBF - Infineon Technologies.

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Asie Inde 4
Japon 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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