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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRF3711PBF
IRF3711PBF Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRF3711PBF - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IRF3711PBF
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IRF3711PBF
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 20V 110A TO220AB
Description détaillée
Emballage
TO-220-3
Fiche technique
IRF3711PBF.pdf
En stock: 5190

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRF3711PBF
Infineon Technologies - IRF3711PBF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IRF3711PBF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220AB  
Séries HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6mOhm @ 15A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 3.1W (Ta), 120W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2980 pF @ 10 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 44 nC @ 4.5 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 20 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 110A (Tc)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IRF3711PBF

Attributs du produit IRF3711PBF IRF3711ZCL IRF3710ZSPBF IRF3711STRLPBF
Modèle de produit IRF3711PBF IRF3711ZCL IRF3710ZSPBF IRF3711STRLPBF
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies International Rectifier Infineon Technologies
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 10V 4.5V, 10V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Tension drain-source (Vdss) 20 V 20 V 100 V 20 V
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 2.45V @ 250µA 4V @ 250µA 3V @ 250µA
Séries HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6mOhm @ 15A, 10V 6mOhm @ 15A, 10V 18mOhm @ 35A, 10V 6mOhm @ 15A, 10V
Dissipation de puissance (max) 3.1W (Ta), 120W (Tc) 79W (Tc) 160W (Tc) 3.1W (Ta), 120W (Tc)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 110A (Tc) 92A (Tc) 59A (Tc) 110A (Tc)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2980 pF @ 10 V 2150 pF @ 10 V 2900 pF @ 25 V 2980 pF @ 10 V
Type de montage Through Hole Through Hole Surface Mount Surface Mount
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Fonction FET - - - -
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 44 nC @ 4.5 V 24 nC @ 4.5 V 120 nC @ 10 V 44 nC @ 4.5 V
Emballer Tube Tube Bulk Tape & Reel (TR)
Package / Boîte TO-220-3 TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Package composant fournisseur TO-220AB TO-262 D2PAK D2PAK

Fiche technique IRF3711PBF PDF

Téléchargez IRF3711PBF PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IRF3711PBF - Infineon Technologies.

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Amérique États-Unis 5
Brésil 7
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Asie Inde 4
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
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