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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRF3710ZPBF
IRF3710ZPBF Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRF3710ZPBF - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IRF3710ZPBF
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IRF3710ZPBF
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 100V 59A TO220AB
Description détaillée
Emballage
TO-220-3
Fiche technique
IRF3710ZPBF.pdf
État RoHS
En stock: 43530

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRF3710ZPBF
Infineon Technologies - IRF3710ZPBF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IRF3710ZPBF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220AB  
Séries HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 18mOhm @ 35A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 160W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2900 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 120 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 100 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 59A (Tc)  
Numéro de produit de base IRF3710  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IRF3710ZPBF

Attributs du produit IRF3710ZPBF IRF3710STRRPBF IRF3710STRLPBF IRF3711
Modèle de produit IRF3710ZPBF IRF3710STRRPBF IRF3710STRLPBF IRF3711
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tension drain-source (Vdss) 100 V 100 V 100 V 20 V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 120 nC @ 10 V 130 nC @ 10 V 130 nC @ 10 V 44 nC @ 4.5 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 59A (Tc) 57A (Tc) 57A (Tc) 110A (Tc)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Emballer Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube
Package composant fournisseur TO-220AB D2PAK D2PAK TO-220AB
Fonction FET - - - -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 4.5V, 10V
Séries HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 3V @ 250µA
Dissipation de puissance (max) 160W (Tc) 200W (Tc) 200W (Tc) 3.1W (Ta), 120W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole Surface Mount Surface Mount Through Hole
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2900 pF @ 25 V 3130 pF @ 25 V 3130 pF @ 25 V 2980 pF @ 10 V
Package / Boîte TO-220-3 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-3
Numéro de produit de base IRF3710 IRF3710 IRF3710 -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 18mOhm @ 35A, 10V 23mOhm @ 28A, 10V 23mOhm @ 28A, 10V 6mOhm @ 15A, 10V

Fiche technique IRF3710ZPBF PDF

Téléchargez IRF3710ZPBF PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IRF3710ZPBF - Infineon Technologies.

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Amérique États-Unis 5
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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