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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRF3315S
IRF3315S Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRF3315S - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IRF3315S
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IRF3315S
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 150V 21A D2PAK
Description détaillée
Emballage
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Fiche technique
IRF3315S.pdf
En stock: 3890

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRF3315S
Infineon Technologies - IRF3315S Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IRF3315S

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur D2PAK  
Séries HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 82mOhm @ 12A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 3.8W (Ta), 94W (Tc)  
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1300 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 95 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 150 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 21A (Tc)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IRF3315S

Attributs du produit IRF3315S IRF3305 IRF3305PBF IRF3315PBF
Modèle de produit IRF3315S IRF3305 IRF3305PBF IRF3315PBF
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies International Rectifier
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Séries HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Tension drain-source (Vdss) 150 V 55 V 55 V 150 V
Emballer Tube Tube Tube Bulk
Type de montage Surface Mount Through Hole Through Hole Through Hole
Package composant fournisseur D2PAK TO-220AB TO-220AB TO-220AB
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Dissipation de puissance (max) 3.8W (Ta), 94W (Tc) 330W (Tc) 330W (Tc) 94W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 82mOhm @ 12A, 10V 8mOhm @ 75A, 10V 8mOhm @ 75A, 10V 70mOhm @ 12A, 10V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1300 pF @ 25 V 3650 pF @ 25 V 3650 pF @ 25 V 1300 pF @ 25 V
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 21A (Tc) 75A (Tc) 75A (Tc) 23A (Tc)
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 95 nC @ 10 V 150 nC @ 10 V 150 nC @ 10 V 95 nC @ 10 V
Fonction FET - - - -

Fiche technique IRF3315S PDF

Téléchargez IRF3315S PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IRF3315S - Infineon Technologies.

Autres documents connexes
IR Part Numbering System.pdf
PCN Obsolescence / EOL
HiRel EOL 28/Jun/2015.pdf

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Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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