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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRF3305
IRF3305 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRF3305 - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IRF3305
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IRF3305
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB
Description détaillée
Emballage
TO-220-3
Fiche technique
IRF3305.pdf
En stock: 5410

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRF3305
Infineon Technologies - IRF3305 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IRF3305

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220AB  
Séries HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8mOhm @ 75A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 330W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3650 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 150 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 55 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 75A (Tc)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IRF3305

Attributs du produit IRF3305 IRF3205ZSTRRPBF IRF3205ZS IRF3205ZSTRLPBF
Modèle de produit IRF3305 IRF3205ZSTRRPBF IRF3205ZS IRF3205ZSTRLPBF
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8mOhm @ 75A, 10V 6.5mOhm @ 66A, 10V 6.5mOhm @ 66A, 10V 6.5mOhm @ 66A, 10V
Dissipation de puissance (max) 330W (Tc) 170W (Tc) 170W (Tc) 170W (Tc)
Fonction FET - - - -
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Package composant fournisseur TO-220AB D2PAK D2PAK D2PAK
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3650 pF @ 25 V 3450 pF @ 25 V 3450 pF @ 25 V 3450 pF @ 25 V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 75A (Tc) 75A (Tc) 75A (Tc) 75A (Tc)
Tension drain-source (Vdss) 55 V 55 V 55 V 55 V
Séries HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Package / Boîte TO-220-3 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 150 nC @ 10 V 110 nC @ 10 V 110 nC @ 10 V 110 nC @ 10 V
Emballer Tube Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Type de montage Through Hole Surface Mount Surface Mount Surface Mount

Fiche technique IRF3305 PDF

Téléchargez IRF3305 PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IRF3305 - Infineon Technologies.

Autres documents connexes
IR Part Numbering System.pdf
PCN Obsolescence / EOL
EOL122B 02/Oct/2007.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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