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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRF250P224
IRF250P224 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRF250P224 - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IRF250P224
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IRF250P224
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 250V 96A TO247AC
Description détaillée
Emballage
TO-247-3
Fiche technique
IRF250P224.pdf
État RoHS
En stock: 6276

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRF250P224
Infineon Technologies - IRF250P224 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IRF250P224

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 270µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-247AC  
Séries StrongIRFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12mOhm @ 58A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 313W (Tc)  
Package / Boîte TO-247-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 9915 pF @ 50 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 203 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 250 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 96A (Tc)  
Numéro de produit de base IRF250  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IRF250P224

Attributs du produit IRF250P224 IRF250P225 IRF224 IRF2804LPBF
Modèle de produit IRF250P224 IRF250P225 IRF224 IRF2804LPBF
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies International Rectifier Infineon Technologies
Séries StrongIRFET™ StrongIRFET™ - HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12mOhm @ 58A, 10V 22mOhm @ 41A, 10V - 2.3mOhm @ 75A, 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 203 nC @ 10 V 96 nC @ 10 V - 240 nC @ 10 V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 270µA 4V @ 270µA - 4V @ 250µA
Fonction FET - - - -
Tension drain-source (Vdss) 250 V 250 V 250 V 40 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 9915 pF @ 50 V 4897 pF @ 50 V - 6450 pF @ 25 V
Package composant fournisseur TO-247AC TO-247AC TO-204AA (TO-3) TO-262
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V - -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 96A (Tc) 69A (Tc) 3.8A 75A (Tc)
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Numéro de produit de base IRF250 IRF250 - IRF2804
Vgs (Max) ±20V ±20V - -
Dissipation de puissance (max) 313W (Tc) 313W (Tc) 40W 300W (Tc)
Package / Boîte TO-247-3 TO-247-3 TO-204AA, TO-3 TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Emballer Tube Tube Bulk Tube
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) - -55°C ~ 175°C (TJ)
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel

Fiche technique IRF250P224 PDF

Téléchargez IRF250P224 PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IRF250P224 - Infineon Technologies.

Autres documents connexes
IR Part Numbering System.pdf
Conception / spécification PCN
Mult Dev Label Chgs Aug/2020.pdf
Emballage PCN
Mult Dev Label Chgs 18/Feb/2020.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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