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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRF224
International Rectifier
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRF224 - International Rectifier

Fabricant Modèle de produit
IRF224
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IRF224
Modèle ECAD
Description des pièces
N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET
Description détaillée
Emballage
TO-204AA, TO-3
Fiche technique
IRF224.pdf
En stock: 19522

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRF224
International Rectifier - IRF224 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à International Rectifier - IRF224

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id -  
Vgs (Max) -  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-204AA (TO-3)  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs -  
Dissipation de puissance (max) 40W  
Package / Boîte TO-204AA, TO-3  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Emballer Bulk  
Température de fonctionnement -  
Type de montage Through Hole  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) -  
Tension drain-source (Vdss) 250 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 3.8A  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de International Rectifier IRF224

Attributs du produit IRF224 IRF2204LPBF IRF250P225 IRF2204PBF
Modèle de produit IRF224 IRF2204LPBF IRF250P225 IRF2204PBF
Fabricant International Rectifier Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) - ±20V ±20V ±20V
Fonction FET - - - -
Tension drain-source (Vdss) 250 V 40 V 250 V 40 V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs - 3.6mOhm @ 130A, 10V 22mOhm @ 41A, 10V 3.6mOhm @ 130A, 10V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) - 10V 10V 10V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 3.8A 170A (Tc) 69A (Tc) 210A (Tc)
Package / Boîte TO-204AA, TO-3 TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-247-3 TO-220-3
Emballer Bulk Tube Tube Tube
Package composant fournisseur TO-204AA (TO-3) TO-262 TO-247AC TO-220AB
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Dissipation de puissance (max) 40W 200W (Tc) 313W (Tc) 330W (Tc)
Vgs (th) (Max) @ Id - 4V @ 250µA 4V @ 270µA 4V @ 250µA
Séries - HEXFET® StrongIRFET™ HEXFET®
Température de fonctionnement - -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)

Mode de transport

Délai de livraison

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Note:
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