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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRF200P222
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IRF200P222 - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IRF200P222
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IRF200P222
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 200V 182A TO247AC
Emballage
TO-247-3
Fiche technique
IRF200P222.pdf
État RoHS
Notre certification
En stock: 6762

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Quantité
OPTION EXPRESS
Mode de paiement
Notre certification

Spécifications

Spécifications techniques IRF200P222
Infineon Technologies - IRF200P222 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IRF200P222

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 270µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-247AC  
Séries StrongIRFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.6mOhm @ 82A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 556W (Tc)  
Package / Boîte TO-247-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 9820 pF @ 50 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 203 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 200 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 182A (Tc)  
Numéro de produit de base IRF200  

Classifications environnementales et d'exportation

ATTRIBUT LA DESCRIPTION
État RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut de portée REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IRF200P222

Attributs du produit IRF200P222 IRF200S234 IRF1902TRPBF IRF200P223
Modèle de produit IRF200P222 IRF200S234 IRF1902TRPBF IRF200P223
Fabricant Infineon Technologies International Rectifier Infineon Technologies Infineon Technologies
Package composant fournisseur TO-247AC PG-TO263-3 8-SO TO-247AC
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Dissipation de puissance (max) 556W (Tc) 417W (Tc) 2.5W (Ta) 313W (Tc)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 203 nC @ 10 V 162 nC @ 10 V 7.5 nC @ 4.5 V 102 nC @ 10 V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 270µA 5V @ 250µA 700mV @ 250µA 4V @ 270µA
Vgs (Max) ±20V ±20V ±12V ±20V
Tension drain-source (Vdss) 200 V 200 V 20 V 200 V
Séries StrongIRFET™ - HEXFET® StrongIRFET™
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 182A (Tc) 90A 4.2A (Ta) 100A (Tc)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 9820 pF @ 50 V 6484 pF @ 50 V 310 pF @ 15 V 5094 pF @ 50 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.6mOhm @ 82A, 10V 16.9mOhm @ 51A, 10V 85mOhm @ 4A, 4.5V 11.5mOhm @ 60A, 10V
Fonction FET - - - -
Package / Boîte TO-247-3 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) TO-247-3
Type de montage Through Hole Surface Mount Surface Mount Through Hole
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 2.7V, 4.5V 10V
Numéro de produit de base IRF200 - - IRF200
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Emballer Tube Bulk Tape & Reel (TR) Tube
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

Fiche technique IRF200P222 PDF

Téléchargez IRF200P222 PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IRF200P222 - Infineon Technologies.

Autres documents connexes
IR Part Numbering System.pdf
Conception / spécification PCN
Mult Dev Label Chgs Aug/2020.pdf
Emballage PCN
Mult Dev Label Chgs 18/Feb/2020.pdf

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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