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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRF1902GTRPBF
IRF1902GTRPBF Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRF1902GTRPBF - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IRF1902GTRPBF
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IRF1902GTRPBF
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 20V 4.2A 8SO
Description détaillée
Emballage
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Fiche technique
IRF1902GTRPBF.pdf
En stock: 5090

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRF1902GTRPBF
Infineon Technologies - IRF1902GTRPBF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IRF1902GTRPBF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 700mV @ 250µA  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 8-SO  
Séries HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 85mOhm @ 4A, 4.5V  
Dissipation de puissance (max) -  
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 310 pF @ 15 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 7.5 nC @ 4.5 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension drain-source (Vdss) 20 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 4.2A (Ta)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IRF1902GTRPBF

Attributs du produit IRF1902GTRPBF IRF1704 IRF1902TRPBF IRF200P222
Modèle de produit IRF1902GTRPBF IRF1704 IRF1902TRPBF IRF200P222
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Type de montage Surface Mount Through Hole Surface Mount Through Hole
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 200°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 85mOhm @ 4A, 4.5V 4mOhm @ 100A, 10V 85mOhm @ 4A, 4.5V 6.6mOhm @ 82A, 10V
Package composant fournisseur 8-SO TO-220AB 8-SO TO-247AC
Séries HEXFET® HEXFET® HEXFET® StrongIRFET™
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 310 pF @ 15 V 6950 pF @ 25 V 310 pF @ 15 V 9820 pF @ 50 V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 7.5 nC @ 4.5 V 260 nC @ 10 V 7.5 nC @ 4.5 V 203 nC @ 10 V
Fonction FET - - - -
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 4.2A (Ta) 170A (Tc) 4.2A (Ta) 182A (Tc)
Emballer Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR) Tube
Tension drain-source (Vdss) 20 V 40 V 20 V 200 V
Dissipation de puissance (max) - 230W (Tc) 2.5W (Ta) 556W (Tc)
Vgs (th) (Max) @ Id 700mV @ 250µA 4V @ 250µA 700mV @ 250µA 4V @ 270µA
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) TO-220-3 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) TO-247-3

Fiche technique IRF1902GTRPBF PDF

Téléchargez IRF1902GTRPBF PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IRF1902GTRPBF - Infineon Technologies.

Autres documents connexes
IR Part Numbering System.pdf
PCN Obsolescence / EOL
Multiple Devices 25/Apr/2014.pdf

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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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