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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRF1324STRLPBF
IRF1324STRLPBF Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRF1324STRLPBF - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IRF1324STRLPBF
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IRF1324STRLPBF
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 24V 195A D2PAK
Description détaillée
Emballage
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Fiche technique
IRF1324(L,S)PBF.pdf
En stock: 4580

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRF1324STRLPBF
Infineon Technologies - IRF1324STRLPBF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IRF1324STRLPBF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur D2PAK  
Séries HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.65mOhm @ 195A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 300W (Tc)  
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 7590 pF @ 24 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 240 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 24 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 195A (Tc)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IRF1324STRLPBF

Attributs du produit IRF1324STRLPBF IRF1324S-7PPBF IRF1404LPBF IRF135SA204
Modèle de produit IRF1324STRLPBF IRF1324S-7PPBF IRF1404LPBF IRF135SA204
Fabricant Infineon Technologies International Rectifier Infineon Technologies Infineon Technologies
Fonction FET - - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.65mOhm @ 195A, 10V 1mOhm @ 160A, 10V 4mOhm @ 95A, 10V 5.9mOhm @ 96A, 10V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Package composant fournisseur D2PAK D2PAK (7-Lead) TO-262 D2PAK-7
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 195A (Tc) 240A (Tc) 162A (Tc) 160A (Tc)
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) Variant
Tension drain-source (Vdss) 24 V 24 V 40 V 135 V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 7590 pF @ 24 V 7700 pF @ 19 V 7360 pF @ 25 V 11690 pF @ 50 V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Emballer Tape & Reel (TR) Bulk Tube Tape & Reel (TR)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 240 nC @ 10 V 252 nC @ 10 V 200 nC @ 10 V 315 nC @ 10 V
Dissipation de puissance (max) 300W (Tc) 300W (Tc) 3.8W (Ta), 200W (Tc) 500W (Tc)
Séries HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®, StrongIRFET™
Type de montage Surface Mount Surface Mount Through Hole Surface Mount
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

Fiche technique IRF1324STRLPBF PDF

Téléchargez IRF1324STRLPBF PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IRF1324STRLPBF - Infineon Technologies.

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Feuilles de données
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Amérique États-Unis 5
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Italie 5
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Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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