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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRF1324LPBF
Infineon Technologies
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRF1324LPBF - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IRF1324LPBF
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IRF1324LPBF
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 24V 195A TO262
Description détaillée
Emballage
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Fiche technique
IRF1324(L,S)PBF.pdf
En stock: 4110

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRF1324LPBF
Infineon Technologies - IRF1324LPBF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IRF1324LPBF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-262  
Séries HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.65mOhm @ 195A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 300W (Tc)  
Package / Boîte TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 7590 pF @ 24 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 240 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 24 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 195A (Tc)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IRF1324LPBF

Attributs du produit IRF1324LPBF IRF1312PBF IRF1324S-7PPBF IRF1324SPBF
Modèle de produit IRF1324LPBF IRF1312PBF IRF1324S-7PPBF IRF1324SPBF
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies International Rectifier Infineon Technologies
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 5.5V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Fonction FET - - - -
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 240 nC @ 10 V 140 nC @ 10 V 252 nC @ 10 V 240 nC @ 10 V
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Séries HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Tension drain-source (Vdss) 24 V 80 V 24 V 24 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 7590 pF @ 24 V 5450 pF @ 25 V 7700 pF @ 19 V 7590 pF @ 24 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.65mOhm @ 195A, 10V 10mOhm @ 57A, 10V 1mOhm @ 160A, 10V 1.65mOhm @ 195A, 10V
Type de montage Through Hole Through Hole Surface Mount Surface Mount
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Dissipation de puissance (max) 300W (Tc) 3.8W (Ta), 210W (Tc) 300W (Tc) 300W (Tc)
Package composant fournisseur TO-262 TO-220AB D2PAK (7-Lead) D2PAK
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 195A (Tc) 95A (Tc) 240A (Tc) 195A (Tc)
Emballer Tube Tube Bulk Tube
Package / Boîte TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-220-3 TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Fiche technique IRF1324LPBF PDF

Téléchargez IRF1324LPBF PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IRF1324LPBF - Infineon Technologies.

Autres documents connexes
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Backend Wafer Transfer 23/Oct/2013.pdf
PCN Obsolescence / EOL
Multiple Devices 25/Apr/2014.pdf
Feuilles de données
IRF1324(L,S)PBF.pdf

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
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Asie Inde 4
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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