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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRF100B201
IRF100B201 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRF100B201 - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IRF100B201
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IRF100B201
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 100V 192A TO220AB
Description détaillée
Emballage
TO-220-3
Fiche technique
IRF100B201.pdf
État RoHS
En stock: 23886

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRF100B201
Infineon Technologies - IRF100B201 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IRF100B201

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220AB  
Séries HEXFET®, StrongIRFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.2mOhm @ 115A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 441W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 9500 pF @ 50 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 255 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 100 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 192A (Tc)  
Numéro de produit de base IRF100  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IRF100B201

Attributs du produit IRF100B201 IRF1010EPBF IRF1010ESTRLPBF IRF100B202
Modèle de produit IRF100B201 IRF1010EPBF IRF1010ESTRLPBF IRF100B202
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Emballer Tube Tube Tape & Reel (TR) Tube
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 192A (Tc) 84A (Tc) 84A (Tc) 97A (Tc)
Type de montage Through Hole Through Hole Surface Mount Through Hole
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 150µA
Dissipation de puissance (max) 441W (Tc) 200W (Tc) 200W (Tc) 221W (Tc)
Numéro de produit de base IRF100 IRF1010 IRF1010 IRF100
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 9500 pF @ 50 V 3210 pF @ 25 V 3210 pF @ 25 V 4476 pF @ 50 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.2mOhm @ 115A, 10V 12mOhm @ 50A, 10V 12mOhm @ 50A, 10V 8.6mOhm @ 58A, 10V
Tension drain-source (Vdss) 100 V 60 V 60 V 100 V
Package composant fournisseur TO-220AB TO-220AB D2PAK TO-220AB
Package / Boîte TO-220-3 TO-220-3 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-3
Séries HEXFET®, StrongIRFET™ HEXFET® HEXFET® HEXFET®, StrongIRFET™
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 255 nC @ 10 V 130 nC @ 10 V 130 nC @ 10 V 116 nC @ 10 V
Fonction FET - - - -

Fiche technique IRF100B201 PDF

Téléchargez IRF100B201 PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IRF100B201 - Infineon Technologies.

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Asie Inde 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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