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IR2109STR Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IR2109STR - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IR2109STR
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IR2109STR
Modèle ECAD
Description des pièces
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
Description détaillée
Emballage
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Fiche technique
IR2109PBF Datasheet.pdf
En stock: 10770

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IR2109STR
Infineon Technologies - IR2109STR Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IR2109STR

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Tension - Alimentation 10V ~ 20V  
Package composant fournisseur 8-SOIC  
Séries -  
Rise / Fall Time (Typ) 150ns, 50ns  
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)  
Nombre de conducteurs 2  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Type de montage Surface Mount  
Tension logique - VIL, VIH 0.8V, 2.9V  
Type d'entrée Non-Inverting  
Côté haut potentiel - Max (Bootstrap) 600 V  
Type de porte IGBT, N-Channel MOSFET  
Configuration pilotée Half-Bridge  
Current - Peak Output (Source, Évier) 200mA, 350mA  
courant de charge Synchronous  
Numéro de produit de base IR2109  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IR2109STR

Attributs du produit IR2109STR IR21094 IR2110-1 IR2110-2PBF
Modèle de produit IR2109STR IR21094 IR2110-1 IR2110-2PBF
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Package composant fournisseur 8-SOIC 14-DIP 14-PDIP 16-PDIP
Emballer Tape & Reel (TR) Tube Tube Tube
Côté haut potentiel - Max (Bootstrap) 600 V 600 V 500 V 500 V
Numéro de produit de base IR2109 IR21094 IR2110 IR2110
Type de porte IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
courant de charge Synchronous Synchronous Independent Independent
Current - Peak Output (Source, Évier) 200mA, 350mA 200mA, 350mA 2A, 2A 2A, 2A
Rise / Fall Time (Typ) 150ns, 50ns 150ns, 50ns 25ns, 17ns 25ns, 17ns
Type d'entrée Non-Inverting Non-Inverting Non-Inverting Non-Inverting
Configuration pilotée Half-Bridge Half-Bridge Half-Bridge Half-Bridge
Type de montage Surface Mount Through Hole Through Hole Through Hole
Tension logique - VIL, VIH 0.8V, 2.9V 0.8V, 2.9V 6V, 9.5V 6V, 9.5V
Nombre de conducteurs 2 2 2 2
Séries - - - -
Tension - Alimentation 10V ~ 20V 10V ~ 20V 3.3V ~ 20V 3.3V ~ 20V
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 14-DIP (0.300', 7.62mm) 14-DIP (0.300', 7.62mm), 13 Leads 16-DIP (0.300', 7.62mm), 14 Leads

Fiche technique IR2109STR PDF

Téléchargez IR2109STR PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IR2109STR - Infineon Technologies.

Autres documents connexes
Part Number Guide.pdf
Feuilles de données
IR2109PBF Datasheet.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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