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AccueilCentre des produitsCircuits intégrés (ci)PMIC - Gate pilotesIR2109SPBF
IR2109SPBF Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IR2109SPBF - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IR2109SPBF
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IR2109SPBF
Modèle ECAD
Description des pièces
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
Description détaillée
Emballage
8-SOIC (0.154', 3.90mm Width)
Fiche technique
Cylindrical Battery Holders.pdf
État RoHS
En stock: 16149

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IR2109SPBF
Infineon Technologies - IR2109SPBF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IR2109SPBF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Tension - Alimentation 10V ~ 20V  
Package composant fournisseur 8-SOIC  
Séries -  
Rise / Fall Time (Typ) 150ns, 50ns  
Package / Boîte 8-SOIC (0.154', 3.90mm Width)  
Emballer Tube  
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)  
Nombre de conducteurs 2  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Type de montage Surface Mount  
Tension logique - VIL, VIH 0.8V, 2.9V  
Type d'entrée Non-Inverting  
Côté haut potentiel - Max (Bootstrap) 600 V  
Type de porte IGBT, N-Channel MOSFET  
Configuration pilotée Half-Bridge  
Current - Peak Output (Source, Évier) 200mA, 350mA  
courant de charge Synchronous  
Numéro de produit de base IR2109  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IR2109SPBF

Attributs du produit IR2109SPBF IR2110-1PBF IR21094PBF IR2110
Modèle de produit IR2109SPBF IR2110-1PBF IR21094PBF IR2110
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Séries - - - -
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
Type de porte IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET
Rise / Fall Time (Typ) 150ns, 50ns 25ns, 17ns 150ns, 50ns 25ns, 17ns
Tension - Alimentation 10V ~ 20V 3.3V ~ 20V 10V ~ 20V 3.3V ~ 20V
Côté haut potentiel - Max (Bootstrap) 600 V 500 V 600 V 500 V
Configuration pilotée Half-Bridge Half-Bridge Half-Bridge Half-Bridge
Tension logique - VIL, VIH 0.8V, 2.9V 6V, 9.5V 0.8V, 2.9V 6V, 9.5V
Type de montage Surface Mount Through Hole Through Hole Through Hole
Current - Peak Output (Source, Évier) 200mA, 350mA 2A, 2A 200mA, 350mA 2A, 2A
Package / Boîte 8-SOIC (0.154', 3.90mm Width) 14-DIP (0.300', 7.62mm), 13 Leads 14-DIP (0.300", 7.62mm) 14-DIP (0.300', 7.62mm)
Numéro de produit de base IR2109 IR2110 IR21094 IR2110
Emballer Tube Tube Tube Tube
Type d'entrée Non-Inverting Non-Inverting Non-Inverting Non-Inverting
Nombre de conducteurs 2 2 2 2
Package composant fournisseur 8-SOIC 14-PDIP 14-DIP 14-DIP
courant de charge Synchronous Independent Synchronous Independent

Fiche technique IR2109SPBF PDF

Téléchargez IR2109SPBF PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IR2109SPBF - Infineon Technologies.

Autres documents connexes
Part Number Guide.pdf
Feuilles de données
Cylindrical Battery Holders.pdf

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
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Italie 5
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Asie Inde 4
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Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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