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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIPU60R1K0CE
Infineon Technologies
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IPU60R1K0CE - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IPU60R1K0CE
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IPU60R1K0CE
Modèle ECAD
Description des pièces
N-CHANNEL POWER MOSFET
Description détaillée
Emballage
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Fiche technique
IPU60R1K0CE.pdf
État RoHS
En stock: 3650

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IPU60R1K0CE
Infineon Technologies - IPU60R1K0CE Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IPU60R1K0CE

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 130µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur PG-TO251-3  
Séries CoolMOS™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1Ohm @ 1.5A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 61W (Tc)  
Package / Boîte TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA  
Emballer Bulk  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 280 pF @ 100 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 13 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 600 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 6.8A (Tc)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IPU60R1K0CE

Attributs du produit IPU60R1K0CE IPU60R2K1CEBKMA1 IPU60R600C6 IPU60R1K4C6
Modèle de produit IPU60R1K0CE IPU60R2K1CEBKMA1 IPU60R600C6 IPU60R1K4C6
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 13 nC @ 10 V 6.7 nC @ 10 V 20.5 nC @ 10 V 9.4 nC @ 10 V
Séries CoolMOS™ CoolMOS™ CE CoolMOS™ CoolMOS™
Dissipation de puissance (max) 61W (Tc) 22W (Tc) 63W (Tc) 28.4W (Tc)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 6.8A (Tc) 2.3A (Tc) 7.3A (Tc) 3.2A (Tc)
Package / Boîte TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1Ohm @ 1.5A, 10V 2.1Ohm @ 760mA, 10V 600mOhm @ 2.4A, 10V 1.4Ohm @ 1.1A, 10V
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Tension drain-source (Vdss) 600 V 600 V 600 V 650 V
Emballer Bulk Tube Bulk Bulk
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Package composant fournisseur PG-TO251-3 PG-TO251-3 PG-TO251-3 PG-TO-251-3-341
Fonction FET - - - -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 280 pF @ 100 V 140 pF @ 100 V 440 pF @ 100 V 200 pF @ 100 V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 130µA 3.5V @ 60µA 3.5V @ 200µA 3.5V @ 90µA

Mode de transport

Délai de livraison

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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