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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIPU10N03LA
IPU10N03LA Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IPU10N03LA - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IPU10N03LA
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IPU10N03LA
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 25V 30A TO251-3
Description détaillée
Emballage
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Fiche technique
IPx10N03LA G.pdf
En stock: 5340

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IPU10N03LA
Infineon Technologies - IPU10N03LA Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IPU10N03LA

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 20µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur P-TO251-3-1  
Séries OptiMOS™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10.4mOhm @ 30A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 52W (Tc)  
Package / Boîte TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1358 pF @ 15 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 11 nC @ 5 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 25 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 30A (Tc)  
Numéro de produit de base IPU10N  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IPU10N03LA

Attributs du produit IPU10N03LA IPU50R2K0CE IPU60R1K4C6 IPU60R1K0CE
Modèle de produit IPU10N03LA IPU50R2K0CE IPU60R1K4C6 IPU60R1K0CE
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10.4mOhm @ 30A, 10V - 1.4Ohm @ 1.1A, 10V 1Ohm @ 1.5A, 10V
Numéro de produit de base IPU10N IPU50R - -
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 20µA - 3.5V @ 90µA 3.5V @ 130µA
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V - 10V 10V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 30A (Tc) - 3.2A (Tc) 6.8A (Tc)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1358 pF @ 15 V - 200 pF @ 100 V 280 pF @ 100 V
Tension drain-source (Vdss) 25 V - 650 V 600 V
Fonction FET - - - -
Type de montage Through Hole - Through Hole Through Hole
Séries OptiMOS™ * CoolMOS™ CoolMOS™
Dissipation de puissance (max) 52W (Tc) - 28.4W (Tc) 61W (Tc)
Emballer Tube Bulk Bulk Bulk
La technologie MOSFET (Metal Oxide) - MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
type de FET N-Channel - N-Channel N-Channel
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 11 nC @ 5 V - 9.4 nC @ 10 V 13 nC @ 10 V
Package composant fournisseur P-TO251-3-1 - PG-TO-251-3-341 PG-TO251-3
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) - -55°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Boîte TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA - TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Vgs (Max) ±20V - ±20V ±20V

Fiche technique IPU10N03LA PDF

Téléchargez IPU10N03LA PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IPU10N03LA - Infineon Technologies.

Autres documents connexes
Part Number Guide.pdf
PCN Obsolescence / EOL
Multiple Devices 04/Jun/2009.pdf
Feuilles de données
IPx10N03LA G.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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