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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIPU04N03LA
IPU04N03LA Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IPU04N03LA - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IPU04N03LA
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IPU04N03LA
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 25V 50A TO251-3
Description détaillée
Emballage
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Fiche technique
IP(D,F,S,U)04N03LA G.pdf
En stock: 5410

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IPU04N03LA
Infineon Technologies - IPU04N03LA Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IPU04N03LA

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 80µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur P-TO251-3-1  
Séries OptiMOS™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4mOhm @ 50A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 115W (Tc)  
Package / Boîte TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 5199 pF @ 15 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 41 nC @ 5 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 25 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 50A (Tc)  
Numéro de produit de base IPU04N  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IPU04N03LA

Attributs du produit IPU04N03LA IPU10N03LA IPU05N03LA IPU13N03LA
Modèle de produit IPU04N03LA IPU10N03LA IPU05N03LA IPU13N03LA
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V -
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 80µA 2V @ 20µA 2V @ 50µA -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 5199 pF @ 15 V 1358 pF @ 15 V 3110 pF @ 15 V -
Package / Boîte TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA -
Emballer Tube Tube Tube -
Tension drain-source (Vdss) 25 V 25 V 25 V -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 50A (Tc) 30A (Tc) 50A (Tc) -
Dissipation de puissance (max) 115W (Tc) 52W (Tc) 94W (Tc) -
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole -
Séries OptiMOS™ OptiMOS™ OptiMOS™ -
Numéro de produit de base IPU04N IPU10N IPU05N -
Fonction FET - - - -
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 41 nC @ 5 V 11 nC @ 5 V 25 nC @ 5 V -
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) -
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel -
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4mOhm @ 50A, 10V 10.4mOhm @ 30A, 10V 5.3mOhm @ 30A, 10V -
Package composant fournisseur P-TO251-3-1 P-TO251-3-1 P-TO251-3-1 -

Fiche technique IPU04N03LA PDF

Téléchargez IPU04N03LA PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IPU04N03LA - Infineon Technologies.

Autres documents connexes
Part Number Guide.pdf
PCN Obsolescence / EOL
Multiple Devices 04/Jun/2009.pdf
Feuilles de données
IP(D,F,S,U)04N03LA G.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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