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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIPP076N15N5AKSA1
IPP076N15N5AKSA1 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IPP076N15N5AKSA1 - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IPP076N15N5AKSA1
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IPP076N15N5AKSA1
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 150V 112A TO220-3
Description détaillée
Emballage
TO-220-3
Fiche technique
IPP076N15N5AKSA1.pdf
État RoHS
En stock: 16300

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IPP076N15N5AKSA1
Infineon Technologies - IPP076N15N5AKSA1 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IPP076N15N5AKSA1

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 4.6V @ 160µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur PG-TO220-3  
Séries OptiMOS™ 5  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.6mOhm @ 56A, 10  
Dissipation de puissance (max) 214W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 4700 pF @ 75 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 21 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET Standard  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 8V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 150 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 112A (Tc)  
Numéro de produit de base IPP076  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IPP076N15N5AKSA1

Attributs du produit IPP076N15N5AKSA1 IPP076N12N3G IPP075N15N3GXKSA1 IPP080N03L
Modèle de produit IPP076N15N5AKSA1 IPP076N12N3G IPP075N15N3GXKSA1 IPP080N03L
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Fonction FET Standard - - -
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) - -55°C ~ 175°C (TJ) -
Package / Boîte TO-220-3 - TO-220-3 -
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 21 nC @ 10 V - 93 nC @ 10 V -
Dissipation de puissance (max) 214W (Tc) - 300W (Tc) -
Vgs (Max) ±20V - ±20V -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 112A (Tc) - 100A (Tc) -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 8V, 10V - 8V, 10V -
Type de montage Through Hole - Through Hole -
Numéro de produit de base IPP076 - IPP075 -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.6mOhm @ 56A, 10 - 7.5mOhm @ 100A, 10V -
Tension drain-source (Vdss) 150 V - 150 V -
La technologie MOSFET (Metal Oxide) - MOSFET (Metal Oxide) -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 4700 pF @ 75 V - 5470 pF @ 75 V -
Vgs (th) (Max) @ Id 4.6V @ 160µA - 4V @ 270µA -
Séries OptiMOS™ 5 - OptiMOS™ -
Emballer Tube - Tube -
type de FET N-Channel - N-Channel -
Package composant fournisseur PG-TO220-3 - PG-TO220-3 -

Fiche technique IPP076N15N5AKSA1 PDF

Téléchargez IPP076N15N5AKSA1 PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IPP076N15N5AKSA1 - Infineon Technologies.

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Part Number Guide.pdf
Assemblage / origine PCN
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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