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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIPP076N12N3G
Infineon Technologies
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IPP076N12N3G - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IPP076N12N3G
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IPP076N12N3G
Modèle ECAD
Description des pièces
IPP076N12 - 12V-300V N-CHANNEL P
Description détaillée
Emballage
-
Fiche technique
IPP076N12N3G.pdf
En stock: 4940

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IPP076N12N3G
Infineon Technologies - IPP076N12N3G Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IPP076N12N3G

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id -  
Vgs (Max) -  
La technologie -  
Package composant fournisseur -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs -  
Dissipation de puissance (max) -  
Package / Boîte -  
Température de fonctionnement -  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Type de montage -  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds -  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs -  
type de FET -  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) -  
Tension drain-source (Vdss) -  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C -  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IPP076N12N3G

Attributs du produit IPP076N12N3G IPP076N15N5AKSA1 IPP072N10N3GXKSA1 IPP075N15N3GXKSA1
Modèle de produit IPP076N12N3G IPP076N15N5AKSA1 IPP072N10N3GXKSA1 IPP075N15N3GXKSA1
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Rds On (Max) @ Id, Vgs - 7.6mOhm @ 56A, 10 7.2mOhm @ 80A, 10V 7.5mOhm @ 100A, 10V
Fonction FET - Standard - -
Dissipation de puissance (max) - 214W (Tc) 150W (Tc) 300W (Tc)
Température de fonctionnement - -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Vgs (th) (Max) @ Id - 4.6V @ 160µA 3.5V @ 90µA 4V @ 270µA
Package composant fournisseur - PG-TO220-3 PG-TO220-3 PG-TO220-3
Type de montage - Through Hole Through Hole Through Hole
Tension drain-source (Vdss) - 150 V 100 V 150 V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs - 21 nC @ 10 V 68 nC @ 10 V 93 nC @ 10 V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) - 8V, 10V 6V, 10V 8V, 10V
type de FET - N-Channel N-Channel N-Channel
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds - 4700 pF @ 75 V 4910 pF @ 50 V 5470 pF @ 75 V
La technologie - MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) - ±20V ±20V ±20V
Package / Boîte - TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C - 112A (Tc) 80A (Tc) 100A (Tc)

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Pays communs Référence du temps logistique
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Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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