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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIPP070N08N3G
Infineon Technologies
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IPP070N08N3G - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IPP070N08N3G
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IPP070N08N3G
Modèle ECAD
Description des pièces
N-CHANNEL POWER MOSFET
Description détaillée
Emballage
TO-220-3
Fiche technique
IPP070N08N3G.pdf
État RoHS
En stock: 48120

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IPP070N08N3G
Infineon Technologies - IPP070N08N3G Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IPP070N08N3G

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 73µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur PG-TO220-3  
Séries OptiMOS™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7mOhm @ 73A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 136W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3  
Emballer Bulk  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3840 pF @ 40 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 56 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 6V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 80 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 80A (Tc)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IPP070N08N3G

Attributs du produit IPP070N08N3G IPP06CN10LG IPP065N04NG IPP06N03LA
Modèle de produit IPP070N08N3G IPP06CN10LG IPP065N04NG IPP06N03LA
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Emballer Bulk Bulk Bulk Tube
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 80A (Tc) 100A (Tc) 50A (Tc) 50A (Tc)
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Séries OptiMOS™ OptiMOS™ 2 OptiMOS™ OptiMOS™
Dissipation de puissance (max) 136W (Tc) 214W (Tc) 68W (Tc) 83W (Tc)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3840 pF @ 40 V 11900 pF @ 50 V 2800 pF @ 20 V 2653 pF @ 15 V
Tension drain-source (Vdss) 80 V 100 V 40 V 25 V
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Package composant fournisseur PG-TO220-3 PG-TO220-3-1 PG-TO220-3 PG-TO220-3
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 73µA 2.4V @ 180µA 4V @ 200µA 2V @ 40µA
Package / Boîte TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 56 nC @ 10 V 124 nC @ 10 V 34 nC @ 10 V 22 nC @ 5 V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Fonction FET - - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7mOhm @ 73A, 10V 6.2mOhm @ 100A, 10V 6.5mOhm @ 50A, 10V 6.2mOhm @ 30A, 10V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 6V, 10V 4.5V, 10V 10V 4.5V, 10V

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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