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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIPP06N03LA
IPP06N03LA Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IPP06N03LA - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IPP06N03LA
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IPP06N03LA
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 25V 50A TO220-3
Description détaillée
Emballage
TO-220-3
Fiche technique
IP(B,I,P)06N03LA.pdf
En stock: 4680

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IPP06N03LA
Infineon Technologies - IPP06N03LA Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IPP06N03LA

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 40µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur PG-TO220-3  
Séries OptiMOS™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.2mOhm @ 30A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 83W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2653 pF @ 15 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 22 nC @ 5 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 25 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 50A (Tc)  
Numéro de produit de base IPP06N  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IPP06N03LA

Attributs du produit IPP06N03LA IPP06CN10LG IPP065N04NG IPP072N10N3GXKSA1
Modèle de produit IPP06N03LA IPP06CN10LG IPP065N04NG IPP072N10N3GXKSA1
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 40µA 2.4V @ 180µA 4V @ 200µA 3.5V @ 90µA
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 10V 6V, 10V
Numéro de produit de base IPP06N - - IPP072
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 50A (Tc) 100A (Tc) 50A (Tc) 80A (Tc)
Dissipation de puissance (max) 83W (Tc) 214W (Tc) 68W (Tc) 150W (Tc)
Tension drain-source (Vdss) 25 V 100 V 40 V 100 V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.2mOhm @ 30A, 10V 6.2mOhm @ 100A, 10V 6.5mOhm @ 50A, 10V 7.2mOhm @ 80A, 10V
Fonction FET - - - -
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2653 pF @ 15 V 11900 pF @ 50 V 2800 pF @ 20 V 4910 pF @ 50 V
Package composant fournisseur PG-TO220-3 PG-TO220-3-1 PG-TO220-3 PG-TO220-3
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Séries OptiMOS™ OptiMOS™ 2 OptiMOS™ OptiMOS™
Package / Boîte TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 22 nC @ 5 V 124 nC @ 10 V 34 nC @ 10 V 68 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Emballer Tube Bulk Bulk Tube

Fiche technique IPP06N03LA PDF

Téléchargez IPP06N03LA PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IPP06N03LA - Infineon Technologies.

Autres documents connexes
Part Number Guide.pdf
PCN Obsolescence / EOL
Multiple Devices 04/Jun/2009.pdf
Conception / spécification PCN
CoolMOS/OptiMOS Halogen Free 10/Dec/2008.pdf
Feuilles de données
IP(B,I,P)06N03LA.pdf

Mode de transport

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
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Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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