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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIPD60R950C6
IPD60R950C6 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IPD60R950C6 - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IPD60R950C6
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IPD60R950C6
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 600V 4.4A TO252-3
Description détaillée
Emballage
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Fiche technique
IPD60R950C6.pdf
État RoHS
En stock: 4200

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IPD60R950C6
Infineon Technologies - IPD60R950C6 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IPD60R950C6

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 130µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur PG-TO252-3  
Séries CoolMOS™ C6  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 950mOhm @ 1.5A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 37W (Tc)  
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 280 pF @ 100 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 13 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 600 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 4.4A (Tc)  
Numéro de produit de base IPD60R  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IPD60R950C6

Attributs du produit IPD60R950C6 IPD60R750E6 IPD60R650CEATMA1 IPD60R650CEAUMA1
Modèle de produit IPD60R950C6 IPD60R750E6 IPD60R650CEATMA1 IPD60R650CEAUMA1
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Rds On (Max) @ Id, Vgs 950mOhm @ 1.5A, 10V 750mOhm @ 2A, 10V 650mOhm @ 2.4A, 10V 650mOhm @ 2.4A, 10V
Fonction FET - - - -
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 4.4A (Tc) 5.7A (Tc) 7A (Tc) 9.9A (Tc)
Tension drain-source (Vdss) 600 V 600 V 600 V 600 V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 13 nC @ 10 V 17.2 nC @ 10 V 20.5 nC @ 10 V 20.5 nC @ 10 V
Package composant fournisseur PG-TO252-3 PG-TO252-3-313 PG-TO252-3 PG-TO252-3-344
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Numéro de produit de base IPD60R IPD60R IPD60R IPD60R
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
Dissipation de puissance (max) 37W (Tc) 48W (Tc) 63W (Tc) 82W (Tc)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 280 pF @ 100 V 373 pF @ 100 V 440 pF @ 100 V 440 pF @ 100 V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 130µA 3.5V @ 170µA 3.5V @ 200µA 3.5V @ 200µA
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Séries CoolMOS™ C6 CoolMOS™ E6 CoolMOS™ CE CoolMOS™ CE
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Emballer Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

Fiche technique IPD60R950C6 PDF

Téléchargez IPD60R950C6 PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IPD60R950C6 - Infineon Technologies.

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Asie Inde 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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