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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIPD60R650CEATMA1
IPD60R650CEATMA1 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IPD60R650CEATMA1 - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IPD60R650CEATMA1
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IPD60R650CEATMA1
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 600V 7A TO252-3
Description détaillée
Emballage
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Fiche technique
IPD60R650CEATMA1.pdf
En stock: 5320

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IPD60R650CEATMA1
Infineon Technologies - IPD60R650CEATMA1 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IPD60R650CEATMA1

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 200µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur PG-TO252-3  
Séries CoolMOS™ CE  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 650mOhm @ 2.4A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 63W (Tc)  
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 440 pF @ 100 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 20.5 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 600 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 7A (Tc)  
Numéro de produit de base IPD60R  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IPD60R650CEATMA1

Attributs du produit IPD60R650CEATMA1 IPD60R600P7SAUMA1 IPD60R950C6 IPD60R650CEAUMA1
Modèle de produit IPD60R650CEATMA1 IPD60R600P7SAUMA1 IPD60R950C6 IPD60R650CEAUMA1
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Dissipation de puissance (max) 63W (Tc) 30W (Tc) 37W (Tc) 82W (Tc)
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
Fonction FET - - - -
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 20.5 nC @ 10 V 9 nC @ 10 V 13 nC @ 10 V 20.5 nC @ 10 V
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 7A (Tc) 6A (Tc) 4.4A (Tc) 9.9A (Tc)
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 650mOhm @ 2.4A, 10V 600mOhm @ 1.7A, 10V 950mOhm @ 1.5A, 10V 650mOhm @ 2.4A, 10V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 200µA 4V @ 80µA 3.5V @ 130µA 3.5V @ 200µA
Séries CoolMOS™ CE CoolMOS™ P7 CoolMOS™ C6 CoolMOS™ CE
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Numéro de produit de base IPD60R IPD60R IPD60R IPD60R
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 440 pF @ 100 V 363 pF @ 400 V 280 pF @ 100 V 440 pF @ 100 V
Package composant fournisseur PG-TO252-3 PG-TO252-3 PG-TO252-3 PG-TO252-3-344
Tension drain-source (Vdss) 600 V 600 V 600 V 600 V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel

Fiche technique IPD60R650CEATMA1 PDF

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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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