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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIPD60R520CP
Infineon Technologies
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.
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IPD60R520CP - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IPD60R520CP
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IPD60R520CP
Modèle ECAD
Description des pièces
N-CHANNEL POWER MOSFET
Emballage
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Fiche technique
IPD60R520CP.pdf
État RoHS
Notre certification
En stock: 5210

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Quantité
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Notre certification

Spécifications

Spécifications techniques IPD60R520CP
Infineon Technologies - IPD60R520CP Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IPD60R520CP

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur PG-TO252-3-313  
Séries CoolMOS™ CP  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 520mOhm @ 3.8A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 66W (Tc)  
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Emballer Bulk  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 630 pF @ 100 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 31 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 600 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 6.8A (Tc)  
Numéro de produit de base IPD60R  

Classifications environnementales et d'exportation

ATTRIBUT LA DESCRIPTION
État RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut de portée REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IPD60R520CP

Attributs du produit IPD60R520CP IPD60R600CP IPD60R600C6ATMA1 IPD60R600E6
Modèle de produit IPD60R520CP IPD60R600CP IPD60R600C6ATMA1 IPD60R600E6
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 250µA 3.5V @ 220µA 3.5V @ 200µA 3.5V @ 200µA
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 630 pF @ 100 V 550 pF @ 100 V 440 pF @ 100 V 440 pF @ 100 V
Séries CoolMOS™ CP CoolMOS™ CP CoolMOS™ C6 CoolMOS™ E6
Dissipation de puissance (max) 66W (Tc) 60W (Tc) 63W (Tc) 63W (Tc)
Fonction FET - - - -
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 31 nC @ 10 V 27 nC @ 10 V 20.5 nC @ 10 V 20.5 nC @ 10 V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Package composant fournisseur PG-TO252-3-313 PG-TO252-3-313 PG-TO252-3 PG-TO252-3
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Numéro de produit de base IPD60R IPD60R IPD60R IPD60R
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 6.8A (Tc) 6.1A (Tc) 7.3A (Tc) 7.3A (Tc)
Tension drain-source (Vdss) 600 V 600 V 600 V 600 V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Emballer Bulk Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 520mOhm @ 3.8A, 10V 600mOhm @ 3.3A, 10V 600mOhm @ 2.4A, 10V 600mOhm @ 2.4A, 10V
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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