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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIPD50R280CEBTMA1
IPD50R280CEBTMA1 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IPD50R280CEBTMA1 - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IPD50R280CEBTMA1
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IPD50R280CEBTMA1
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 500V 13A TO252-3
Description détaillée
Emballage
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Fiche technique
IPD50R280CEBTMA1.pdf
État RoHS
En stock: 4460

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IPD50R280CEBTMA1
Infineon Technologies - IPD50R280CEBTMA1 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IPD50R280CEBTMA1

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 350µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur PG-TO252-3-11  
Séries CoolMOS™ CE  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 280mOhm @ 4.2A, 13V  
Dissipation de puissance (max) 92W (Tc)  
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 773 pF @ 100 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 32.6 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 13V  
Tension drain-source (Vdss) 500 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 13A (Tc)  
Numéro de produit de base IPD50R  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IPD50R280CEBTMA1

Attributs du produit IPD50R280CEBTMA1 IPD50R2K0CEAUMA1 IPD50R280CEAUMA1 IPD50R399CPATMA1
Modèle de produit IPD50R280CEBTMA1 IPD50R2K0CEAUMA1 IPD50R280CEAUMA1 IPD50R399CPATMA1
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Séries CoolMOS™ CE CoolMOS™ CE CoolMOS™ CE CoolMOS™ CP
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 350µA 3.5V @ 50µA 3.5V @ 350µA 3.5V @ 330µA
Tension drain-source (Vdss) 500 V 500 V 500 V 500 V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 13V 13V 13V 10V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 32.6 nC @ 10 V 6 nC @ 10 V 32.6 nC @ 10 V 23 nC @ 10 V
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Fonction FET - - - -
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Rds On (Max) @ Id, Vgs 280mOhm @ 4.2A, 13V 2Ohm @ 600mA, 13V 280mOhm @ 4.2A, 13V 399mOhm @ 4.9A, 10V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Numéro de produit de base IPD50R IPD50R2 IPD50R IPD50R
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 13A (Tc) 2.4A (Tc) 13A (Ta) 9A (Tc)
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Dissipation de puissance (max) 92W (Tc) 33W (Tc) 119W (Tc) 83W (Tc)
Package composant fournisseur PG-TO252-3-11 PG-TO252-3 PG-TO252-3 PG-TO252-3-313
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 773 pF @ 100 V 124 pF @ 100 V 773 pF @ 100 V 890 pF @ 100 V

Fiche technique IPD50R280CEBTMA1 PDF

Téléchargez IPD50R280CEBTMA1 PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IPD50R280CEBTMA1 - Infineon Technologies.

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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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