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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIPD50P04P4L11ATMA2
IPD50P04P4L11ATMA2 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IPD50P04P4L11ATMA2 - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IPD50P04P4L11ATMA2
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IPD50P04P4L11ATMA2
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET P-CH 40V 50A TO252-3
Description détaillée
Emballage
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Fiche technique
IPD50P04P4L11ATMA2.pdf
État RoHS
En stock: 59460

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IPD50P04P4L11ATMA2
Infineon Technologies - IPD50P04P4L11ATMA2 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IPD50P04P4L11ATMA2

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 85µA  
Vgs (Max) +5V, -16V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur PG-TO252-3-313  
Séries OptiMOS®-P2  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10.6mOhm @ 50A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 58W (Tc)  
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3900 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 59 nC @ 10 V  
type de FET P-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 40 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 50A (Tc)  
Numéro de produit de base IPD50  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IPD50P04P4L11ATMA2

Attributs du produit IPD50P04P4L11ATMA2 IPD50R280CEBTMA1 IPD50R2K0CEAUMA1 IPD50R1K4CEBTMA1
Modèle de produit IPD50P04P4L11ATMA2 IPD50R280CEBTMA1 IPD50R2K0CEAUMA1 IPD50R1K4CEBTMA1
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Séries OptiMOS®-P2 CoolMOS™ CE CoolMOS™ CE CoolMOS™ CE
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 50A (Tc) 13A (Tc) 2.4A (Tc) 3.1A (Tc)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3900 pF @ 25 V 773 pF @ 100 V 124 pF @ 100 V 178 pF @ 100 V
Numéro de produit de base IPD50 IPD50R IPD50R2 IPD50R
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10.6mOhm @ 50A, 10V 280mOhm @ 4.2A, 13V 2Ohm @ 600mA, 13V 1.4Ohm @ 900mA, 13V
Vgs (Max) +5V, -16V ±20V ±20V ±20V
type de FET P-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Dissipation de puissance (max) 58W (Tc) 92W (Tc) 33W (Tc) 25W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Fonction FET - - - -
Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 85µA 3.5V @ 350µA 3.5V @ 50µA 3.5V @ 70µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 59 nC @ 10 V 32.6 nC @ 10 V 6 nC @ 10 V 1 nC @ 10 V
Tension drain-source (Vdss) 40 V 500 V 500 V 500 V
Package composant fournisseur PG-TO252-3-313 PG-TO252-3-11 PG-TO252-3 PG-TO252-3
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 13V 13V 13V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

Fiche technique IPD50P04P4L11ATMA2 PDF

Téléchargez IPD50P04P4L11ATMA2 PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IPD50P04P4L11ATMA2 - Infineon Technologies.

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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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