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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIPD26N06S2L35ATMA2
IPD26N06S2L35ATMA2 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IPD26N06S2L35ATMA2 - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IPD26N06S2L35ATMA2
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IPD26N06S2L35ATMA2
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 55V 30A TO252-31
Description détaillée
Emballage
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Fiche technique
IPD26N06S2L35ATMA2.pdf
État RoHS
En stock: 66230

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IPD26N06S2L35ATMA2
Infineon Technologies - IPD26N06S2L35ATMA2 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IPD26N06S2L35ATMA2

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 26µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur PG-TO252-3-11  
Séries OptiMOS™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 35mOhm @ 13A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 68W (Tc)  
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 621 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 24 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 55 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 30A (Tc)  
Numéro de produit de base IPD26N06  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IPD26N06S2L35ATMA2

Attributs du produit IPD26N06S2L35ATMA2 IPD25N06S4L30ATMA2 IPD25N06S4L-30 IPD26N06S2L-35 MOS
Modèle de produit IPD26N06S2L35ATMA2 IPD25N06S4L30ATMA2 IPD25N06S4L-30 IPD26N06S2L-35 MOS
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 621 pF @ 25 V 1220 pF @ 25 V - -
Fonction FET - - - -
Package composant fournisseur PG-TO252-3-11 PG-TO252-3-11 - -
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 - -
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) - -
Dissipation de puissance (max) 68W (Tc) 29W (Tc) - -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 30A (Tc) 25A (Tc) - -
Vgs (Max) ±20V ±16V - -
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) - -
Numéro de produit de base IPD26N06 IPD25N06 - -
Séries OptiMOS™ Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ - -
Tension drain-source (Vdss) 55 V 60 V - -
Type de montage Surface Mount Surface Mount - -
type de FET N-Channel N-Channel - -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 4.5V, 10V - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 35mOhm @ 13A, 10V 30mOhm @ 25A, 10V - -
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 24 nC @ 10 V 16.3 nC @ 10 V - -
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) - -
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 26µA 2.2V @ 8µA - -

Fiche technique IPD26N06S2L35ATMA2 PDF

Téléchargez IPD26N06S2L35ATMA2 PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IPD26N06S2L35ATMA2 - Infineon Technologies.

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Italie 5
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Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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